近期NAND闪存市场出现新动向。随着全球存储需求激增，各大制造商从短暂停滞中恢复，纷纷重启扩产计划。SK海力士已宣布投资约500亿美元，在韩国本土建设全新的NAND闪存生产线。同时，该公司在中国的工厂建设项目也在同步推进，展现出强劲的发展势头。
根据TrendForce报告，SK海力士计划于2026年下半年重新启动大连二厂的扩建工程。项目将首先进行生产设备安装，随后分阶段完成设施建设，整个过程预计持续至2027年上半年。目前，SK海力士的合作伙伴已将韩国闲置设备运往大连，海外供应商也收到了设备交付的初步采购订单。可以说，相关准备工作已悄然启动。
当然，这一重启背后离不开美国政策限制以及NAND闪存行情长期低迷的影响，此前SK海力士不得不暂停大连二厂的扩建。如今重启后，大连二厂将具备生产238层NAND闪存的能力，月产能目标设定在3万至5万片晶圆之间。同时，大连一厂也将进行生产线切换，更换老旧设备，转而生产192层NAND闪存。尽管SK海力士在韩国大规模投资，但报告指出，大连二厂才是其扩建速度最快的NAND闪存生产基地。
此外，除NAND闪存外，SK海力士近期也在扩建其位于中国的DRAM生产设施，无锡工厂的产能正逐步提升。
