今年2月，SK海力士与闪迪联合宣布成立HBF规格标准化联盟启动会，正式发布了面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。相比之下，闪迪在此次合作中展现出更强的积极性。究其根本：SK海力士凭借HBM技术占据市场主导，客户订单供不应求，利润极其可观；而闪迪则需借助HBF切入AI存储赛道，找到自身生态位。简而言之，市场逻辑决定了双方各自的发力方向。
据TrendForce分析，闪迪正全力推动HBF技术的工程化落地，核心目标是突破NAND闪存的容量天花板这一结构性瓶颈，从而容纳更多存储单元。具体实现路径源自闪迪此前申请的一项专利：将计算芯片直接堆叠在NAND闪存之上，同时在同一中介层上保留HBM芯片——这些芯片环绕在计算芯片与NAND闪存周围，最终实现一体化封装。
HBM容量瓶颈与HBF破局思路
闪迪之所以采取这一布局，根本原因在于HBM固有的容量限制问题长期未能解决。尽管HBF技术正在追赶，但仍面临延迟、能效以及系统层集成复杂度等多重挑战。为打破僵局，闪迪与SK海力士共同推出HBF方案，其设计理念与HBM高度相似：通过硅通孔（TSV）将多层NAND闪存垂直堆叠，构建统一的内存堆栈。
本次闪迪提出的3D堆叠设计极具创新性：将基于CBA（CMOS直接键合阵列）技术打造的NAND闪存模块，直接置于GPU等计算芯片下方。值得关注的是，在此架构配置下，HBM依然保留在同一中介层上，在整体存储-计算层级中扮演相对独立的角色。从架构视角看，这种分工更为清晰——HBM负责高实时性的高速内存操作，而NAND闪存层则承载读写密集型工作负载与海量数据存储任务。两者各司其职，协同运作，这正是架构优化的关键所在。
