先说几个核心判断：铠侠在昨天公布的投资者日细节中，展示了其对NAND闪存市场走势的清晰预判，以及下一代产品的技术取舍策略。

今年夏天，铠侠将正式出样BiCS10 1Tb TLC NAND闪存——这款新一代存储芯片将随企业级CM系列固态硬盘（支持PCIe Gen6协议）共同登场。

BiCS10选择332层堆叠，这个数字在当下并不算最“激进”的那一批。但铠侠明确表示，堆叠高度已不再是降低成本的万能钥匙。更高的层数意味着工艺复杂度飙升、制造投入激增，还会拖累能效和可靠性。说得更直白一点：堆得越高，未必越划算。

按照铠侠的推算，与可能的400层方案相比，332层BiCS10实现了10%的成本下降、10%的能效提升，以及35%的可靠性优势。这个取舍背后，是对成本、性能、良率三者平衡的精细考量。

在市场层面，铠侠预测2026-2028年NAND总出货量CAGR为22%。其中，数据中心领域将达46%，AI推理更是增长主力，增速预计在86%。而PC、智能手机的需求则基本持平，甚至小幅下行。需求结构正在发生根本性转变，存储厂商若不能跟上数据中心和AI的节奏，未来处境会非常被动。

更值得注意的，是铠侠对供需格局的判断：当前是NAND市场供需失衡最严重的时期，未来会逐步改善，但到2027年底之前，供小于求的基本面不会轻易翻转。换句话说，短期内市场还会承压，但长期利好正在酝酿。

在这样的大背景下，铠侠正在集中火力主攻数据中心与企业级业务，目标是让这一板块贡献公司营收的60%以上，依靠高附加值产品拉动利润增长。与此同时，PC和智能手机的收入规模则追求稳定——不求猛涨，但求不拖后腿。

财务投入方面，铠侠2026-2028财年的资本支出和研发投入，均将比2025财年增长超过60%。企业也在加速推动制程进步，目标实现每年约10%的前端单位容量成本下降。这笔重注，投的是未来三到五年的技术制高点。

此外，铠侠确认正在评估北上市生产基地的进一步扩建，目标在2029财年后投入生产。这一动作，显然是冲着更长期的需求增长在做产能储备。