三星率先实现3D NAND量产的历史，要追溯至2013年。当年，三星推出业界首款V-NAND闪存，一举抢占技术高地。从最初的24层堆叠，到如今第9代产品实现290层量产，三星积累了极为深厚的技术经验。当前AI浪潮席卷全球，市场除了对HBM等高带宽存储器需求激增，对更高堆叠层数的NAND闪存需求也在同步攀升。此前有消息透露，三星计划到2030年将V-NAND层数推高至1000层。 据TECHPOWERUP报道，三星正稳步推进这一目标，但制造复杂度极高，单靠单颗芯片已不现实。为此，三星将目光转向先进封装方案——CMB（Cell Multi-Bonding）技术，这是一种基于混合键合的晶圆堆叠方案。具体而言，三星将两个450层的V-NAND模块堆叠成一个NAND闪存，总层数一举达到900层，且原型样品已通过验证。 去年，三星在ISSCC 2025上展示了第10代V-NAND闪存，总堆叠层数超过400层。这一代产品不仅刷新了有源层数纪录，性能也实现突破性提升，最关键的是首次将COP（Cell-on-Periphery）结构与混合键合技术相结合。换言之，该产品除了追求创纪录的有源层数外，核心目标在于实现COP结构与混合键合的深度融合。 目前量产NAND闪存层数最高的保持者是SK海力士，其采用321层4D NAND设计。三星计划推动第10代V-NAND闪存量产，但还需数个季度的时间。据了解，三星的目标是在2027年推出第11代V-NAND技术，届时数据传输速度将提升50%。