铠侠计划2027年量产332层BiCS10闪存
关于铠侠下一代闪存技术BiCS10的量产时间，近期业界传出最新消息。据韩媒ZDNET Korea援引业内人士信息，铠侠已将第十代BiCS FLASH（BiCS10）的量产时间点规划在2027年。而具体的投资与生产细节，预计要到2026年下半年才会进一步明确。这一时间表相较于此前市场传闻的2026年量产有所延后。
铠侠的闪存技术路线图始终是行业关注的焦点。自BiCS8这一代起，铠侠引入了一项核心架构创新——CBA（CMOS直接键合至阵列）。这项技术的关键在于将NAND闪存中的存储单元与外围逻辑电路制造过程分离，实现了两者的独立优化与高效整合。基于这一先进架构，结合成熟存储单元技术与前沿CMOS工艺的BiCS9产品，已于去年向客户提供了工程样品。
那么，作为继任者的BiCS10闪存有哪些重要升级？其核心突破在于堆叠层数的显著提升。据悉，BiCS10将存储单元的堆叠层数大幅增加至332层，旨在满足未来数据中心、高端消费电子等领域对超大容量、高性能固态存储的强劲需求。在性能方面，它将支持高达4.8Gbps的I/O接口速率。更为重要的是，其位密度相比当前的BiCS8产品提升了59%，这意味着在同等芯片面积内能够存储更多数据，是实现更高性价比、增强市场竞争力的一项关键技术指标。
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据业内消息，铠侠计划于2027年量产第十代BiCSFLASH闪存。该产品将采用332层堆叠技术，显著提升存储密度与性能，其位密度较当前产品提高59%，并支持4 8Gbps接口速率。量产时间较此前传闻略有推迟，具体投资细节预计2026年下半年进一步明确。
日本存储芯片巨头铠侠发布最新季度财报，运营利润创纪录地达到5968亿日元，环比大幅增长454%，营收也突破1万亿日元。公司旗下固态硬盘与存储部门销售额增长近300%，成为主要增长引擎。在市场方面，由于竞争对手资源向HBM领域倾斜，铠侠在NAND市场获得了更多订单。同时，公司正式官宣正在筹划赴美上市，
全球存储厂商将产能转向HBM与高层3DNAND，导致传统2D MLCNAND供应急剧收紧。三星已关停关键2D产线，预计2026年MLC产能将下滑超40%。该类芯片在工控等高可靠性领域仍不可替代，现货价格已大幅上涨。产能转型引发供应链持续紧张，下游行业面临严峻挑战。
近期存储行业释放出两个关键信号，共同指向一个深层趋势：供应短缺与价格上涨可能并非短期波动。慧荣科技总经理苟嘉章在最新行业活动中明确指出，当前NAND闪存供应紧张的局面预计将持续至2028年。几乎在同一时间，全球知名存储品牌雷克沙正式宣布，自6月1日起全面上调存储卡产品售价，部分热门型号价格涨幅最高达
2月12日消息，KIOXIA 铠侠今日公布了其 2025 财年第 3 财季（2025 日历年第 4 季度）的财报。在上一季度中，铠侠实现 5436 亿日元营收，位于此前指引区间高位，同比增长 20
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