联电发布55nm BCD工艺平台，支持非外延与SOI制程
10月22日，中国台湾地区晶圆代工企业联华电子（注：即联电、UMC）今日正式发布55纳米BCD工艺技术平台。
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这项创新制程技术能够在单一芯片上集成模拟、数字与功率元件，广泛应用于电源管理与混合信号集成电路，可显著提升移动设备、消费电子、汽车工业等领域产品的能效表现，同时实现更紧凑的芯片面积和优异的抗噪声性能。
联电此次推出的55纳米BCD平台涵盖非外延磊晶、外延磊晶以及绝缘层上硅三类制程方案，并同步整合了超厚金属层、嵌入式闪存、电阻式存储器等前沿技术模块。
联电技术研发副总经理徐世杰在发布会中强调：
55纳米BCD平台的推出，标志着联电在BCD技术布局上的重要突破，不仅进一步完善了我们的特色制程产品组合，更强化了在电源管理市场的竞争优势。
尽管55纳米BCD制程已在业内量产多年，但联电本次提供的全新解决方案具备更全面的技术特性与卓越的组件性能，能协助客户打造创新的电源管理系统，应用范围涵盖智能手机、穿戴装置、车载电子、智能家居与工业自动化等多个领域。
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