台积电美国第三座晶圆厂封顶 距离正式投产仍需数年
台积电在美国亚利桑那州的战略布局正加速推进，其投资规模与建设速度均刷新了行业纪录。自2020年宣布建设首座晶圆厂以来，公司持续扩大投资，不仅增建了第二、第三座晶圆厂，更在去年3月公布了更为宏大的计划——将再建三座晶圆厂、两座先进封装厂及一座研发中心。相应的，其在该州的总投资额已从最初的120亿美元大幅提升至约1650亿美元，展现了其强化美国本土半导体制造能力的坚定决心。
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最新动态显示，台积电亚利桑那州第三座晶圆厂已于本月6日顺利完成厂房封顶。这一重要里程碑标志着该工厂的建设重点已从外部结构施工全面转向内部洁净室装修与核心设备安装阶段。封顶仪式当天，凤凰城市长及台积电当地管理团队均到场出席，凸显了地方政府与企业对该高端半导体制造项目的高度重视。
这座工厂具有重要的战略意义。它于2024年4月8日正式官宣建设，核心定位是采用业界领先的2纳米及更先进制程技术为客户提供晶圆代工服务，预计在2030年前实现量产。值得关注的是，从去年4月破土动工到完成厂房封顶，整个建设周期仅用时约一年，如此高效的工程进度在全球半导体设施建设中表现突出。
随着第三座晶圆厂主体结构落成，台积电在亚利桑那州前三座晶圆厂的总投资额已累计达到650亿美元。这一系列投资不仅是台积电全球化产能布局的关键举措，也深刻影响着全球半导体供应链的格局，标志着先进芯片制造能力正在向美国本土进行战略性转移与重塑。
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台积电在美国亚利桑那州的第三座晶圆厂已完成厂房封顶，进入内部装修与设备安装阶段。该厂采用2纳米及更先进制程，计划2030年前投产。从破土到封顶仅用时一年，建设速度高效。台积电在该州前三座工厂总投资已达650亿美元，是其海外扩张与全球半导体制造格局重塑的关键一步。
半导体行业传出重要动向，AMD很可能已将部分下一代笔记本CPU的2nm制造订单交由三星代工。此举主要源于台积电先进制程产能已排期至2028年，AMD为确保产品如期发布，必须寻找替代产能。合作涉及代号Venice（2026年，Zen6C，最高256核）和Verano（2027年，Zen7，专为AI
台积电美国亚利桑那州第三座晶圆厂（PH3）主体结构已于5月5日完成封顶。该厂于去年4月动工，将导入2纳米级制程技术，目标在本十年末实现量产。与此同时，当地首座晶圆厂已量产，第二座厂预计2027年下半年量产。此举标志着台积电在美国先进半导体制造布局的重要一步，旨在强化其供应链并满足未来AI与高性能计算
智能手机市场，特别是中低端需求持续疲软，导致联发科和高通大幅削减了在台积电的4纳米和5纳米芯片订单，减产规模约2万至3万片晶圆。与此同时，存储芯片成本飙升，DRAM和NAND合计已占入门手机成本的54%，加剧了市场压力。空出的先进制程产能迅速被AMD接手，用于满足其CPU产品的增长需求。AMDCE
台积电4月营收约131亿美元，连续两月超130亿大关，同比大增17 5%。但环比微降1 1%，且同比增速为今年以来最低，较前三月明显放缓，显示增长节奏趋于平稳。前四月累计营收同比增长29 9%，整体增长动能依然强劲。
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