Rapidus加速研发1nm芯片，追赶台积电仅差半年
3月31日消息，据媒体报道，Rapidus总裁兼首席执行官小池淳義表示，正在加速推进先进制程技术的研发，目标是在1nm工艺节点上将与台积电的技术差距缩小到大约6个月。
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据了解，台积电的1.4nm和1nm工艺可能会率先部署在中国台湾中部科学园区，名为Fab 25，预计投资约490亿美元，计划建设四座晶圆厂。
其中第一阶段的两座晶圆厂专门用于1.4nm工艺，预计2028年下半年量产，第二阶段再推进到1nm工艺。传闻台积电将在1nm工艺节点首次使用High-NA EUV光刻机，相关开发工作预计在2030年前完成，并大约在2030年实现量产。
与此同时，Rapidus计划今年开始开发1.4nm工艺，量产时间预计为2029年，有可能与三星的时间点较为接近。若要在1nm工艺上将与台积电的差距缩小至6个月，意味着Rapidus很可能需要在2030年下半年至2031年之间进入量产阶段。
Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2024年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。
目前，Rapidus已在日本北海道千岁市建造了创新集成制造工厂（IIM-1），目标是2027年量产2nm芯片。
此外，Rapidus还计划在2027财年（2027年4月至2028年3月）开建第二座晶圆厂，并规划更先进的1.4nm乃至1nm工艺。
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