Rapidus猛攻2nm芯片产能：一年内实现三倍增长目标
2月13日最新消息显示，日本半导体企业Rapidus正在加速推进2纳米制程的量产计划，目标是在2028年实现全面量产。
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根据规划，Rapidus将于2025年4月启动试产线，并在同年8月完成2纳米GAA架构测试芯片的流片。公司还计划在2026年第一季度向客户交付2纳米PDK设计套件。
在产能布局方面，Rapidus预计在2027年初实现月产6000片晶圆的初始规模。令人瞩目的是，仅一年后其月产能就将跃升至约2.5万片，增幅超过四倍，展现出惊人的扩张速度。
工艺性能方面，Rapidus推出了名为"2HP"的尖端2纳米工艺技术。该技术的逻辑密度达到每平方毫米237.31百万晶体管，与台积电N2工艺的236.17百万晶体管基本持平，两者均属于高密度单元库范畴。相较于英特尔18A工艺的184.21百万晶体管密度，Rapidus在集成度方面优势明显。
在推进2纳米工艺的同时，Rapidus已着手规划更先进的1.4纳米制程，目标在2029年实现量产。
Rapidus由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠、软银等八家日本企业于2024年共同创立，致力于先进半导体工艺的本土化设计与制造。目前公司正在北海道千岁市建设创新集成制造工厂，作为2纳米芯片的生产基地。
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