中芯国际调涨部分产品价格约10%,产能已实施
12月23日,据财联社报道,记者从多方渠道证实,中芯国际近期已对部分产品实施提价,涨幅约10%。有公司透露,此次涨价预计将迅速落实。不过,由于此前存储产品价格偏低,晶圆厂早前已率先对相关产品进行了价格调整。行业人士分析指出,中芯国际此次提价,一方面源于手机应用和AI需求持续增长,带动了芯片需求,进而推动了整体半导体产品市场的回暖;另一方面,原材料成本上涨也是重要因素之一。此外,台积电方面确认正整合其8英寸产能,并计划于2027年底前关停部分生产线,这一动向亦可能引发晶圆代工涨价的预期。事实上,受市场需求旺盛驱动,中芯国际、华虹公司的产能利用率持续攀升,目前已接近甚至超过满负荷状态。(上海证券报)
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台积电美国亚利桑那州第三座晶圆厂主体结构已封顶,将引入2纳米级先进制程,计划本十年末量产。该地首座晶圆厂已量产,第二座预计2027年投产。封顶仪式向施工人员及合作伙伴致谢,标志着项目建设重要里程碑。
台积电在美国亚利桑那州的第三座晶圆厂已完成厂房封顶,进入内部装修与设备安装阶段。该厂采用2纳米及更先进制程,计划2030年前投产。从破土到封顶仅用时一年,建设速度高效。台积电在该州前三座工厂总投资已达650亿美元,是其海外扩张与全球半导体制造格局重塑的关键一步。
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台积电美国亚利桑那州第三座晶圆厂(PH3)主体结构已于5月5日完成封顶。该厂于去年4月动工,将导入2纳米级制程技术,目标在本十年末实现量产。与此同时,当地首座晶圆厂已量产,第二座厂预计2027年下半年量产。此举标志着台积电在美国先进半导体制造布局的重要一步,旨在强化其供应链并满足未来AI与高性能计算
智能手机市场,特别是中低端需求持续疲软,导致联发科和高通大幅削减了在台积电的4纳米和5纳米芯片订单,减产规模约2万至3万片晶圆。与此同时,存储芯片成本飙升,DRAM和NAND合计已占入门手机成本的54%,加剧了市场压力。空出的先进制程产能迅速被AMD接手,用于满足其CPU产品的增长需求。AMDCE
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