12月2日消息，EUV技术对于5纳米以下的先进工艺已经不可或缺，目前全球能够生产EUV光刻机的仅有荷兰ASML一家公司。美国如今也在该领域加大了投入力度，最近更是投资了一家初创企业。
这家名为xLight的公司致力于开发新一代EUV光源技术，其技术路径与ASML公司采用的复杂等离体子光刻技术截然不同。xLight计划研发基于自由电子激光器（FEL）的EUV光刻系统，预计原型机将在2028年面世。
该公司今年7月获得了4000万美元的融资，近日又获得了美国商务部下属CHIPS研究与开发办公室（CRDO）的1.5亿美元投资。
美国商务部长对此表示，xLight的FEL技术平台代表着突破性创新，将助力美国重拾技术领导地位、保障供应链安全，并确保下一代半导体技术在美国本土诞生。
值得一提的是，xLight公司的首席执行官是前英特尔CEO基辛格。他此前曾强调此次FEL激光器研发的重要意义，指出复兴摩尔定律并恢复美国在光源技术领域的领导力是千载难逢的机遇。在联邦政府支持下，xLight有望将这一机遇转化为现实成果。
xLight公司开发的FEL激光器相较于当前EUV光刻机具有显著功率优势，可实现1000W的输出功率，而ASML的EUV光源仅为250W水平，相当于现有设备的4倍功率。根据规划，未来甚至有望实现2000W的功率目标。
这种高功率设计不仅能大幅提升EUV芯片生产效率，还可以实现一套FEL光源服务多台光刻机，且设备寿命长达30年，显著降低了芯片光刻环节的总体成本。
结合不久前美国另一家EUV光源公司Substrate获得投资的新闻来看，美国确实有意在下一代EUV技术领域重夺领导地位。虽然当前EUV光刻机使用的光源技术也源自美国公司Cymer，但该公司已被ASML收购。
这两家公司分别采用X光技术和自由激光技术路线，实际上与国内先前热议的光刻机厂家技术路径相似。虽然它们在技术精度或功率方面各具优势，但工程化实施面临较大挑战。目前ASML的EUV技术仍然是唯一实现量产的成熟方案。
