3月2日消息，作为全球唯一能量产EUV光刻机的企业，荷兰ASML在EUV技术研发上始终快人一步，目前已经开始着手研发第三代EUV光刻机。
目前投入使用的第一代EUV光刻机采用NA 0.33技术，而第二代则引入了High NA技术，数值孔径提升至0.55。更高的数值孔径意味着更高的光刻分辨率，这正是实现2纳米及以下制程不可或缺的关键设备，未来甚至有望突破1纳米工艺节点。
采用High NA技术的EUV光刻机已开始小批量交付，英特尔作为首个客户，据称已订购至少三台设备，预计将在下一代14A工艺中大规模投入使用。
ASML内部其实早已启动第三代EUV光刻机的研发工作，不过具体技术指标尚未明确。日前公司公布了一项突破性的EUV光源技术，可将功率从当前的600W大幅提升至1000W，未来更有望进一步达到1500W甚至2000W的水平。
这种大功率EUV技术很可能成为第三代光刻机的技术基础。ASML首席技术官Marco Pieters近日在接受采访时表示，公司不仅关注未来5年的技术发展，更着眼于未来10至15年的技术路线图。
ASML的更大目标是革新现有芯片制造方式，将先进封装作为重点突破方向。公司已推出专用于先进封装的光刻机，虽然分辨率要求不高——此前展示的型号仅需110纳米光刻分辨率，但对于多芯片封装应用已经绰绰有余。
ASML未来的愿景是实现像盖大楼一样制造芯片，这个理念其实多年前就已提出，也就是3D芯片的概念。只是当时受限于技术条件，无法解决制造工艺和散热等关键问题。
