自EUV光刻机实现商业化量产已有八年时间，但产能依然存在显著的优化空间。就在前几天，ASML刚刚公布了一项将光源功率提升至1000W的新技术，如今欧洲研究团队又找到了一种全新的优化方案。
这项突破源自IMEC欧洲微电子中心——全球EUV技术研发的核心机构之一。与ASML提升光源功率的技术路径不同，他们这次聚焦于EUV光刻后烘焙环节的效率提升。
研究数据显示，在PEB（曝光后烘焙）阶段提高氧气浓度，能够有效加速光刻胶的感光速度，从而显著提升产能效率。
具体而言，当PEB环节的氧气浓度从标准大气的21%提升至50%时，MOR型光刻胶的感光速度可提升15-20%。
千万别小看这组效率提升数据。光刻胶感光速度的提升不仅意味着材料用量减少，还代表着单位时间内产能的增加，这对提高EUV光刻机产量、降低芯片制造成本都具有重要意义。
与主要采用CAR化学增幅型光刻胶的DUV光刻技术不同，EUV光刻技术正全面转向MOR金属氧化物光刻胶。这种新型材料已成为提升光刻分辨率、缩小栅极间距、降低缺陷率的关键材料之一。
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