SK海力士研发16层堆叠DRAM与NAND芯片，提升手机AI性能
11月10日，韩国《电子新闻》报道称，高带宽内存（HBM）的技术演进正推动存储巨头SK海力士突破性能瓶颈——着手研发高带宽存储（HBS）。这项新突破有望让未来的智能手机和平板电脑获得更强大的AI算力支持。
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SK海力士计划采用名为垂直导线扇出（VFO）的封装工艺，将最多16层DRAM与NAND芯片垂直堆叠，从而显著提升数据处理速度。
报道指出，VFO封装是HBS能否成功落地的关键。SK海力士早在2024年就已首次展示这项技术；随着生成式AI逐渐普及，HBS正稳步进入智能手机与平板电脑市场。
借助垂直堆叠的DRAM和NAND芯片，VFO封装替代了传统的弯曲导线连接方式，不仅缩短了布线距离，还降低了信号损耗与延迟，同时支持更多I/O通道，使整体数据处理效率大幅跃升。
未来HBS将与手机芯片组一同封装，再安装至设备主板上。行业普遍认为，骁龙8至尊版 Gen 6 Pro 平台因能同时兼容LPDDR6与UFS 5.0，被视为HBS的潜在首发载体。
与HBM相比，HBS无需采用硅通孔（TSV）工艺，意味着芯片制造不必穿孔，成本更低、良率更高。对于那些希望在设备中采用这种新型存储方案的厂商而言，这无疑是一大利好。
有消息称，苹果正计划在未来设备中采用HBM与TSV技术，使iPhone能够本地运行更复杂的AI模型，因此苹果开始研究HBS也在意料之中。
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