SK海力士在3D NAND堆叠技术上再次取得重大突破——根据海外媒体报道（6月11日），其375层产品已完成生产验证，预计2026年底投入量产。与此同时，清州M15工厂的原有产线正全面升级改造，从176层、238层、321层产品统一切换至375层产线。这一调整源于技术路线策略变化：原计划为400层，但因超高堆叠工艺难度过大，最终下调至375层。不过，SK海力士已在规划后续480层、604层的技术路线，显然眼光长远，不局限于眼前。

这次量产的核心突破在于字线金属栅极的材料革新——SK海力士首次采用钼（Mo）替代传统的钨（W）。钼的优势十分明显：在微缩线路中电阻更低，有助于提升信号传输和读写速度，同时可省去辅助膜铺设，进一步提高存储密度。当然，钼工艺也面临挑战——高温供给需精准控制，技术门槛较高。为此，SK海力士选择了东京电子（TEL）的炉管式设备，相比应用材料的方案，在成本和效率上更具优势。在钼材料供应方面，空气产品、英特格、默克已加入供应链，SK特种气体也在协同空气产品优化交付流程。

行业对钼用量的增长预测相当激进：三星电子去年采购约4吨，今年预计达10吨，2027至2030年预计分别攀升至25吨、40吨、60吨、80吨。SK海力士则从2027年开始大规模导入，初期年用量约4吨。值得关注的是，SK海力士的策略并非盲目扩大总产能，而是聚焦高端产品扩产，从而提升单位比特的盈利能力——这堪称明智之举。