▲ SK海力士V9 NAND示意图
那么，为何最终选择375层而非400层？从技术层面来看，这实际上是一个务实且明智的决策。400层堆叠虽然在纸面参数上更为亮眼，但在量产过程中面临的技术挑战与良率压力会显著增大。对于竞争激烈的存储芯片市场而言，稳定的量产能力比单纯追求层数速度更为关键。韩媒在报道中还透露，SK海力士已经规划了更长远的路线：480层乃至604层的3D NAND也在布局之中，这意味着未来两到三个技术世代的发展方向已明确锁定。
在技术细节方面，V10 NAND在金属布线层中做出了一个关键调整：部分字线（Word Line）材料从传统的钨（W）切换为钼（Mo）。钼具有更低的电阻和更好的填充性能，这对高堆叠层数下的信号传输和工艺控制至关重要。值得注意的是，在钼沉积工艺上，SK海力士选择了TEL的炉式设备——这一方案在成本上更具竞争力。在半导体制造的巨大投入中，成本控制本身就是核心竞争力的体现。
综合现有信息来看，SK海力士在3D NAND领域的打法已十分清晰：不盲目追求层数的绝对领先，而是在技术可实现性与量产可靠性之间寻找最佳平衡点。375层，正是这一平衡点上的最优解。
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