过去几周，关于苹果与英特尔可能展开芯片代工合作的传闻，在科技行业和资本市场引发了广泛关注。

有券商机构披露了一份相对具体的合作路线图：苹果或将把部分M系列芯片以及非Pro版iPhone所用芯片交由英特尔代工。更具体地说，预计在2027年出货的入门级M系列处理器，以及2028年iPhone标准版搭载的芯片，未来有望采用英特尔18A-P制程工艺。

进一步的消息称，苹果已经与英特尔签署保密协议，并获得了后者先进18A-P工艺的PDK（工艺设计套件）样本，用于早期产品评估与验证。从技术层面来看，英特尔18A-P工艺确实具备一定特色，它是英特尔首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的制程节点。这项技术的核心优势在于，可借助硅通孔（TSV）实现多个小芯片（Chiplet）的垂直堆叠，从而为芯片设计带来更高的灵活性、更强的集成能力以及更高的封装密度。

不过，就在市场热烈讨论苹果英特尔合作可能性之际，业内技术专家却给出了截然不同的判断。他们普遍认为，英特尔几乎不可能代工iPhone芯片，而争议的核心，集中在BSPD（背面供电）这项关键技术上。

其中的技术路线差异颇具看点。台积电的策略相对灵活，会在部分制程节点中采用BSPD，而在另一些节点中暂不使用，以此完善面向不同客户需求的产品布局。相比之下，英特尔的路线更加激进，在最先进的18A以及未来14A工艺上，选择全面押注BSPD背面供电技术。

那么，BSPD技术的问题究竟在哪里？从原理来看，它的优势确实十分明确：通过芯片背面更短、更粗的金属路径供电，能够有效降低电压降，进而支持更高且更稳定的运行频率，这对于提升芯片性能确实有帮助。但关键问题在于，对于iPhone这类对功耗、续航和发热表现极为敏感的手机芯片而言，这种方案带来的性能提升其实非常有限，实际价值并不突出。

更麻烦的是它带来的副作用。BSPD方案会引发明显的自发热效应，需要额外散热设计加以应对。但现实问题在于，其散热路径并不理想——垂直方向散热效果有限，横向散热能力则更差。在大量依赖被动散热，或者本身就存在严格温度墙限制的移动终端场景中，这种散热方案几乎很难真正落地。

也正因为这些近乎无解的散热挑战，很多行业观察人士普遍判断，英特尔短期内几乎不可能获得iPhone芯片代工订单。当然，这并不意味着双方完全没有合作空间。像MacBook所使用的M系列处理器，由于整机内部拥有相对更充裕的散热空间，苹果与英特尔未来在这类芯片代工上的合作，或许仍保留一丝可能。