2026年中产业观察丨AI驱动超级周期 国产存储双雄享受涨价红利

今年上半年，全球存储行业迎来了一轮由AI算力需求驱动的超级景气周期。长鑫科技从年亏百亿到日赚3亿元，长江存储以1600亿元估值冲刺IPO——国内存储领域两大龙头的业绩与市值双双攀升，围绕“存储双雄”形成的产业集群也在加速成型。国产存储产业的崛起轮廓，正变得越来越清晰。

供需缺口扩大 涨价仍将持续

根据集邦咨询的现货与合约价跟踪报告，2026年上半年全球存储芯片行业正经历一个十五年一遇的超级景气周期。DRAM和NAND闪存的合约价格连续两个季度大幅上涨，而且这种涨价已经完整传导到了消费端。监测数据显示，上半年16GB DDR5内存、1TB固态硬盘的终端价格，较2025年同期涨幅均超过130%，供需失衡的局面贯穿了整个上半年。

需要强调的是，这轮涨价并不是简单的周期性反弹，而是一场由AI算力需求主导的结构性变革。全球大模型训练和推理需求持续攀升，AI服务器单机内存搭载量已经是传统数据中心服务器的10倍以上。有机构预测，2026年AI相关的DRAM需求占比将突破53%。而在供给端，三星、SK海力士、美光等海外巨头把先进产能优先投向了高附加值的AI存储产品，压缩了通用存储的产能投放。高盛、集邦咨询等机构的一致判断是，当前存储的供需紧张格局，至少会延续到2027年下半年。

从更宏观的视角来看，存储芯片正从传统的电子元器件，转变为算力基础设施中的核心稀缺资源，其行业周期性波动的逻辑正在被AI的长期需求所重构。这意味着，本轮景气周期不再是过去由消费电子驱动的短期脉冲，而是进入了一个结构性的紧平衡阶段。对国产存储厂商来说，这既是难得的历史窗口期，也是检验其产能爬坡、技术迭代与供应链管理能力的关键时刻。

业绩拐点显现 资本化进程提速

在行业超级周期的催化下，国产存储双雄迎来了业绩爆发与资本化进程的双重拐点。

作为国内唯一实现规模化量产的DRAM垂直整合制造企业，长鑫科技在2026年上半年的业绩实现了跨越式反转，彻底扭转了此前连续亏损的态势。根据公司更新后的科创板IPO招股书业绩预告，今年1至6月，公司预计实现营业收入1100亿元至1200亿元，归母净利润区间为500亿元至570亿元，盈利同比增幅最高达到2544.19%。以上半年业绩中位数来测算，企业日均盈利接近3亿元，创下了国内晶圆制造企业半年度盈利的新高。

长鑫科技的产能与产品结构也在同步优化，DDR5、LPDDR5X等高端存储产品的出货占比持续抬升，叠加国产服务器、AI终端替代订单的集中落地，共同支撑了营收与利润的同步放量。从全球竞争格局来看，今年一季度，长鑫的DRAM全球市场份额达到了7.7%至8%，稳居中国大陆第一、全球第四大DRAM原厂，打破了海外巨头长期以来的垄断格局。

在DRAM赛道实现突破的同时，国内3D NAND闪存龙头长江存储也在加速资本化进程。5月19日，证监会公示信息显示，长江存储控股股份有限公司已在湖北证监局完成IPO辅导备案，辅导券商为中信证券和中信建投。公开资料显示，长江存储2016年在武汉成立，是国内唯一具备3D NAND闪存自主研发、全流程量产能力的IDM企业，业务覆盖芯片设计、制造、封测及系统解决方案。2025年，其全资子公司长江存储科技有限责任公司以1600亿元估值入选《胡润全球独角兽榜》，位列全球第21位、中国十大独角兽，成为国内半导体领域估值最高的头部科创企业。

值得注意的是，国产存储双雄的跨越式发展，是行业周期红利与国产化逻辑共振的必然结果。国内云厂商、AI算力企业正在加速导入本土供应链，国产存储产能优先保障了区域订单，出货规模持续攀升。

业界普遍认为，双雄相继资本化，标志着国产存储产业彻底告别了长期“烧钱”研发的阶段，迈入了良性循环的自我造血周期。在行业景气高位登陆资本市场，将助力企业以更高估值募资扩产，为技术攻关与产能爬坡筑牢资本基础。

龙头牵引集群 产业生态跃迁

国产存储双雄的突围，并非孤立的企业个案，而是中国半导体产业从单点技术突破向全域生态构建跃迁的一个缩影。依托两大龙头的牵引，合肥、武汉两大产业集群正在错位布局、协同发力，共同打造具备全球竞争力的存储产业高地。

扎根合肥的长鑫科技，依托长三角完善的半导体产业配套，走出了一条稳健的DRAM突围路径。企业以17nm成熟工艺为根基，采取了“先稳后进、以量提质”的发展策略，在通用存储市场夯实基本盘后，稳步向DDR5、LPDDR5X等高端产品迭代升级。叠加本土算力终端订单的加持，产能消化的确定性大大增强，在本轮行业上行周期中充分释放了盈利潜力。

位于武汉光谷的长江存储，则以链主身份带动区域存算产业集群协同发展。据湖北省经信厅介绍，当地聚焦存算一体芯片、下一代闪存、先进封装等核心赛道，强化高端芯片研发创新，遵循“巩固新优势、开辟新领域、布局新赛道”的思路优化产业布局，全力建设世界级的存算一体化产业基地。

龙头牵引之下，国内光电子与存储相关领域的创新成果密集涌现：国家信息光电子创新中心研制出250GHz带宽的光子集成芯片，芯动科技推出全球首款120通道PCIe Gen5交换芯片，光谷实验室联合华中科技大学研发了360TB超大容量玻璃硬盘……一系列“全球首创”成果的落地，印证着我国信息产业正从跟跑为主，加速向并跑、甚至领跑阶段跨越。

同济大学国家创新发展研究院研究员宫超表示，本轮存储超级周期由AI算力刚性需求和供应链自主可控两大核心因素共振驱动，为国产存储原厂及配套产业链带来了历史性的成长窗口。相关支撑要素具备长期性，行业高景气周期有望持续。在此背景下，国产存储企业将加快资本积累与技术迭代，本土产业链协同效率持续提升，上游材料、设备等配套环节的国产化进程也将进一步提速。

业内专家同时提示，国产存储产业仍面临多重现实挑战。技术层面，HBM等高端存储市场仍由海外三家巨头垄断，国内在先进工艺、高端架构上存在技术壁垒；市场层面，不排除海外巨头后续通过集中扩产、发动价格战来挤压本土企业的生存空间；产业层面，全链条一体化运营能力仍有短板，头部企业对产业链的统筹调度效能有待提升；人才层面，HBM、高速固件等高端领域的核心研发人才主要集中于海外，国内人才供给缺口制约着高端产品的产业化落地。

业内人士指出，把握本轮AI存储超级周期机遇，持续补齐技术、人才、产业链短板，深化集群协同创新，将是国产存储产业巩固崛起态势、跻身全球第一梯队的关键。

（新华网）