台积电三星松口气！ASML EUV路线图曝光：Low NA服役至2031年
4月17日消息，ASML在2026年第一季财报会议上，正式披露了EUV光刻机在低数值孔径（Low NA）与高数值孔径（High NA）两条技术路线的演进规划。从此次披露的信息来看，台积电与三星无疑吃下了定心丸——释放出两大关键信号：Low NA技术将持续支撑至2031年，而High NA技术的量产进程正加速推进。
首先看Low NA方面。ASML给出了明确数据：2026年，Low NA EUV设备出货量将至少达到60台，2027年至少80台，管理层已将供应链产能拉升至年产90台的水准。这意味着未来数年，这一成熟技术不会出现断供风险，客户可以安心规划长期产能布局。
此外，到2030年，Low NA设备的每小时晶圆处理能力将从当前的220片提升至330片，增幅高达50%——这对现有产线的效率升级而言，是一项实实在在的增益。
再看向High NA这边，技术突破更为显著。根据客户反馈，High NA技术可将EUV光刻所需的掩模数量从3块压缩至1块，工艺步骤从100步精简到10步。简而言之，这不仅大幅缩短了制造周期，还有效降低了生产成本。更关键的是，该技术平台可覆盖未来3到4个制程节点。
ASML计划在2027年推出NXE:5200C系统，主要面向2nm及以下制程节点。而头部客户的跟进行动已全面展开——三星电子率先采购两套High NA EUV设备，用于2nm制程的量产，分别计划于2025年底和2026年初交付。台积电方面，其首台High NA EUV光刻机已运抵全球研发中心，将用于A14等未来先进工艺的开发。
除了技术路线，厂商的资本开支同样释放出积极信号。SK海力士已宣布订购价值约80亿美元的EUV设备，三星电子也下了约40亿至50亿美元的订单。消息层面，ASML同步上调2026年全年净销售额预期至360亿至400亿欧元，同比增长10%到22%。从市场反应来看，这一轮设备采购景气度正持续走高。
