6月11日，SK海力士正式对外公布，其375层3D NAND闪存已通过生产验证，正加快推动生产线落地。此次并非新建厂房，而是直接对清州M15工厂的现有产线进行改造升级。该工厂原本主要生产176层、238层、321层等中低层数产品，改造后将全面转向375层生产线，计划于今年年底前进入量产阶段。
值得关注的背景是：这款NAND最初规划为400层架构，但由于超高层数堆叠的量产工艺限制，最终调整为375层。根据SK海力士的技术路线图，后续还将持续迭代，依次推出480层、604层的产品。
此次迭代最核心的技术突破是什么？答案是采用钼材料替代传统钨材料制造字线（Word Line）。简单来说，字线是连接存储单元控制栅极的水平控制线，负责选择并操作特定行的存储单元。随着3D NAND堆叠层数不断攀升，传统钨材料的短板日益凸显：线路越细，钨的电阻显著上升，导致信号传输速率降低；同时，钨在制程中需要额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加后会挤占空间，直接影响芯片的集成密度。
相比之下，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。更重要的是，钼无需增设阻挡层，可以直接完成填充，从而进一步提升存储密度。
当然，技术从来不是单方面占优。钼前驱体在常温下呈固态，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时需要精确控制物料的供给量与输送速率——这对设备和制程管控提出了相当高的要求。
在设备选型方面，SK海力士评估了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的方案，最终选择了后者。关键区别在于工艺路线：泛林的设备采用单片晶圆处理方法，需要逐片作业；而东京电子的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积。从采购成本、场地占用以及钼物料消耗等角度来看，后者显然更具性价比。
在供应链方面，液化空气集团、英特格和默克公司将成为SK海力士的钼材料供应商。韩国企业SK Specialty也被提名为潜在供应商，双方正在商讨由SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来提供钼材料的方案。值得一提的是，SK海力士正积极推动这两家企业之间的合作。
从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。自2024年4月起，三星在量产286层第九代3D NAND时，就已将钼应用于金属布线环节；其规划中的第十代400层以上3D NAND，定于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。
