近期一则值得关注的行业动态：SK海力士正对其NAND闪存技术路线进行调整，旗下375层堆叠产品已完成量产验证。该公司计划将清州M15工厂原有产线（涵盖176层、238层及321层）逐步升级改造为375层产品生产线，目标是在2026年底前正式实现量产。

该产品最初规划为400层架构，但由于超高堆叠层数的量产工艺瓶颈，最终不得不将层数下调至375层。据行业内部人士透露，后续产品规划仍包括480层和604层，显然这条技术路线并未因短期调整而止步。

为弥补层数上的损失，375层产品在字线金属栅极中首次采用钼（Mo）部分替代传统的钨（W）材料。在超高堆叠场景下，这一选择尤为关键——钨基字线在极高层数时电阻激增，信号延迟加剧，且阻挡辅助层会挤占堆叠空间。钼的电阻率更低，且无需阻挡层，有助于同时提升NAND闪存的读写性能与存储密度。

然而，钼前驱体在常温下呈固态，对制程控制要求极高。SK海力士在评估泛林集团与东京电子的设备后，最终选择了后者的炉式沉积系统。该系统一次可处理约100片晶圆，在设备成本、场地占用与物料消耗方面更具优势。

值得对比的是，三星电子早在2024年4月量产第九代286层V-NAND时，就已将钼用于金属布线环节。其规划的第十代400层以上NAND预计于2026年下半年推出，钼材料的应用范围正持续扩大。