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三星电子全球首发HBM4E 12层样品 16Gbps

时间:2026-05-29 10:46
三星电子全球首发HBM4E十二层样品,单引脚速率高达十六Gbps,带宽三点六TB s,容量四十八GB。采用十纳米级第六代DRAM与四纳米逻辑芯片,能效提升百分之十六,热阻改善超百分之十四。计划后续推出八层三十二GB与十六层六十四GB版本。

【CNMO科技消息】2025年5月29日,三星电子正式宣布,向全球客户交付业界首款HBM4E 12层样品——距离今年2月启动HBM4量产出货,仅隔不到四个月。如此紧凑的节奏,释放出明确信号:在AI基础设施赛道,三星正全力加速产品迭代,抢占高带宽内存市场先机。



核心参数层面,这款HBM4E 12层产品在设计与工艺上进行了针对性优化。单引脚传输速率从14Gbps跃升至最高16Gbps,较上一代HBM4提升超过20%。换算为带宽,单堆栈可实现每秒3.6TB的数据吞吐能力——这一数值意味着什么?简单来说,大语言模型及下一代AI系统中的高强度计算需求,该产品均能从容应对。

容量方面同样值得关注。HBM4E 12层版本提供48GB容量,较前代提升30%以上。三星规划清晰:后续还将推出32GB的8层版本与64GB的16层版本,覆盖不同客户的多场景需求。简言之,按需配置,从入门到旗舰全面覆盖。

工艺层面,HBM4E沿用已在HBM4上验证成熟的技术方案——10纳米级第六代DRAM,配合三星自研4纳米逻辑芯片。这一组合的优势显而易见:先进工艺稳定性更有保障,良率与量产能力得以兼顾。此外,产品在低功耗设计与封装结构上进一步优化,能效比提升16%,热阻特性改善超过14%。这些数据在真实部署中直接影响散热成本与运营功耗,无疑会成为业内关注焦点。

接下里看量产节奏。三星表示,将根据客户时间表推进量产供货。背景信息显示:今年2月三星已实现HBM4量产出货,客户对HBM4在速度与功耗方面的反馈相当积极。去年12月,HBM4在SiP测试中跑出11.7Gbps速度,获得较高评价。由于HBM4与HBM4E采用同一套1c DRAM加4纳米基础芯片组合,业内正密切关注HBM4E后续量产进展——毕竟工艺一致性高,量产爬坡难度理论上更低。三星这盘棋,才刚刚开始落子。

来源:https://www.163.com/dy/article/KU36OUEI051191D6.html
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