近期半导体行业传来重要动态：美光科技在第六代高带宽内存HBM4的产能提升上取得显著进展，其爬坡速度较去年HBM3 12层产品阶段提升了一倍，同时产品良率也实现同步优化。这一进展由美光全球运营副总裁在摩根大通技术会议上披露，并确认该产品将应用于英伟达下一代Rubin AI计算平台。
产能提速的关键在于前期技术积累。得益于HBM3与HBM3E的量产经验，HBM4采用了已成熟的1β工艺——即美光第五代10纳米制程，并结合自主设计的基底芯片，从而在性能与可靠性方面实现了整体跃升。
更值得关注的是后续产品布局。按照规划，下一代HBM4E将在战略层面进行调整：其核心DRAM将升级至首次引入EUV光刻技术的1γ工艺（第六代10纳米制程）；而基底芯片则将转为由台积电代工生产。目标于2027年实现量产，首批产品将符合JEDEC标准，同时定制化版本的开发也将同步进行。
市场竞争格局同样激烈。同期，三星的HBM4E预计2026年第二季度提供样品，其基底芯片计划自主生产；SK海力士则规划在2026年下半年送样、2027年量产，基底芯片拟采用台积电3纳米工艺。美光自身路线图显示，到2026年年中，基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND出货量将占总产能一半以上，标志着1γ工艺将成为其DRAM产品线的核心支柱。
