三星在HBM领域的推进步伐，确实引发了业界的高度关注。继今年2月正式量产HBM4之后，5月29日，三星电子宣布已开始向全球主要客户交付业界首款12层HBM4E高带宽内存样品。仅三个月便完成迭代升级，这样的节奏在存储行业中并不常见。
此次交付的12层HBM4E，单颗容量直接达到48GB，较上一代提升超过30%。与此同时，三星正在规划更完整的产品线：包括32GB的8层版本以及64GB的16层版本，将根据客户需求陆续补齐。可以说，在HBM这条赛道上，三星计划打造非常全面的容量阶梯。
性能层面，HBM4E的单引脚数据传输速率最高可达16Gbps，相比HBM4提升20%以上，单堆栈带宽达到每秒3.6TB。对于大型语言模型和下一代AI计算系统而言，这意味着内存带宽瓶颈将被大幅缓解，整体处理效率有望迈上一个新台阶。支撑这些指标的，是三星先进的第六代10纳米级（1c）DRAM工艺，以及三星自家代工厂的4纳米逻辑基础裸片技术。工艺与逻辑层紧密结合，稳定性和协同效率确实更有保障。
除了速度与容量，能效和散热方面此次也有显著优化。通过低功耗设计以及改良的封装结构，HBM4E的能源效率提升了16%，热阻特性改善了14%以上。对于数据中心这类高负载、高密度的应用场景，更低发热量意味着散热成本下降、设备寿命延长——这些都是实实在在的运营收益。按照三星的规划，在完成样品测试与优化后，将配合客户的需求节点，启动HBM4E的大规模量产。接下来的关键是看客户反馈与时间节点安排。
