DRAM 提产速度仅能满足市场六成需求，短缺、涨价仍将持续数年
DRAM 提产速度仅能满足市场六成需求，短缺、涨价仍将持续数年
4月20日消息，一个值得行业高度关注的信号出现了。根据日经亚洲当地时间4月18日的报道，内存芯片短缺的局面，恐怕要一直持续到2027年前后。尽管美国和韩国的主要厂商已经在积极扩产DRAM，但一个关键问题浮出水面：他们规划中的提产速度，仅仅能覆盖大约60%的市场需求。
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雪上加霜的是，中东地区的局势动荡正在不断推高电力与原材料成本，这无疑给整个行业的供给前景蒙上了又一层不确定性。
具体来看各大巨头的动作。三星电子计划在今年启用其韩国平泽园区的第四座晶圆厂，但全面实现量产预计要等到2027年甚至更晚。而且，这座工厂并非专为内存而生，它还将分担逻辑芯片的生产任务，这在客观上限制了其内存产能的扩张空间。
至于正在建设中的第五座工厂，其重心则完全放在了高带宽内存（HBM）上——也就是专门用于人工智能芯片的那种高性能DRAM。但它的投产时间表更晚，预计要到2028年或之后。三星内存业务的负责人金在俊也证实，行业整体的产能扩张确实受到限制，从今年到2027年，供给增长都会比较有限。
那么，近期有没有能带来增量的好消息呢？SK海力士算是一个。该公司已于今年2月在清州投产了一座HBM工厂，这使其成为三星、美光这三大厂商中，唯一能在今年贡献新增供应的玩家。同时，SK海力士正在加快推进龙仁新厂的建设，计划在2027年2月完工，这比原定时间表还提前了三个月。不过，SK集团会长崔泰源的观点更为审慎，他认为受限于晶圆短缺和短期扩产难度，AI内存的紧张态势甚至可能延续到2030年。
另一巨头美光的布局则着眼于中远期。其计划是在2027年于美国爱达荷州和新加坡启动HBM生产。此外，今年5月将在日本广岛开建新厂，目标是在2028年实现量产。为了更快获取产能，美光还于1月决定收购力积电的一座工厂，该工厂的产品预计在2027年下半年推出。
这里需要认清一个基本盘：三星、SK海力士和美光目前占据了全球约90%的DRAM市场份额，并且几乎是HBM产能的唯一持有者。他们的战略选择，直接决定了市场的供需格局。
而近年来的趋势是，这三家公司不约而同地将重心转向利润更高的HBM，相应地推迟了通用内存的扩产计划。这一战略转向的直接后果，就是从2025年秋季开始，市场供应逐渐趋紧。反映在价格上，今年第一季度内存价格的环比涨幅预计高达约90%。
市场研究机构Counterpoint Research做过一个测算：要想缓解当前的短缺，行业需要在2027年前实现约12%的年产能增长。但现实很骨感，根据现有的扩产计划，年增长率只能达到7.5%左右。该机构的研究总监黄敏秀判断，供需关系预计要到2028年才有望恢复正常。
话说回来，即便新增产能陆续投产，供需紧张就能迅速缓解吗？答案可能并不乐观。在AI需求持续爆发的背景下，先进内存工厂从投产到稳定提升良率，本身就需要一个不短的时间周期。这意味着，供给爬坡的速度很可能追不上需求增长的速度。
这种短缺的影响正在向下游传导。目前，约80%至90%的内存芯片用于PC、智能手机和服务器。国际数据公司（IDC）预计，今年智能手机销量将下降13%。与此同时，一个结构性矛盾凸显：内存在低端智能手机中的成本占比已经达到约20%，预计到今年年中将逼近40%。当利润空间被急剧压缩，手机厂商很可能被迫减少产量。此外，汽车零部件厂商也已经开始面临内存供应不足的棘手问题。
总而言之，一场由AI驱动、叠加地缘整治与成本因素的内存供给挑战，已经拉开了长达数年的序幕。产业链上的每一个环节，都需要为此做好准备了。
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