消息称美光尝试垂直堆叠 GDDR 内存：在标准 GDDR 与 HBM 间开辟新路
美光推进垂直堆叠GDDR内存技术：打造介于GDDR与HBM之间的性能新选择
3月30日，据韩国媒体ETNEWS报道，全球存储巨头美光（Micron）正着手研发一项创新内存方案——垂直堆叠GDDR技术。该消息在半导体与内存行业引发广泛关注。据悉，这项技术有望在标准GDDR内存与高带宽内存（HBM）之间形成新的产品路径，首个原型预计最早于2027年对外亮相。
当前AI加速市场对内存技术提出多样化需求。虽然HBM内存在高性能AI训练领域占据主导，但在图形GPU和部分AI推理场景中，GDDR内存仍因其成熟工艺和成本优势而被广泛采用。例如，英伟达多款RTX PRO专业显卡以及部分AI专用ASIC芯片，均选择GDDR作为显存解决方案。即便是已暂停的Rubin CPX项目，初期亦曾将GDDR纳入其存储架构的备选清单。
随着AI推理市场快速扩展，不同应用场景对内存带宽、容量及成本提出了差异化要求。美光此番布局垂直堆叠GDDR内存，正是瞄准了这一细分市场。该技术有望在保持相对合理成本的同时，提供比传统GDDR更大的容量与更高带宽，从而在AI加速卡、高性能图形卡以及边缘推理设备中开辟新的应用空间。这一动向也可能引发存储厂商在新一轮内存架构竞赛中加速探索，推动行业在HBM之外形成更多元、更具性价比的高性能内存解决方案。
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