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中微公司发布四款半导体制造设备,覆盖硅基及化合物领域

时间:2026-04-01 15:30
中微半导体设备新突破:四款核心设备同步发布,覆盖硅基芯片与化合物半导体关键制程 2026年3月30日,在SEMICON China展会上,中国半导体设备领军企业中微半导体设备公司(AMEC)重磅发布了四款新产品。此次发布标志着中微公司在高端半导体制造装备领域的产品布局与系统性解决方案能力得到进一步巩

中微半导体设备新突破:四款核心设备同步发布,覆盖硅基芯片与化合物半导体关键制程

2026年3月30日,在SEMICON China展会上,中国半导体设备领军企业中微半导体设备公司(AMEC)重磅发布了四款新产品。此次发布标志着中微公司在高端半导体制造装备领域的产品布局与系统性解决方案能力得到进一步巩固与拓展,覆盖了从先进硅基逻辑芯片、存储芯片到化合物半导体(特别是Micro LED)等核心工艺环节。

Primo Angnova:面向先进制程的高深宽比刻蚀解决方案

首款设备Primo Angnova精准定位于先进制程节点(如3nm及以下)中对“深宽比”(Aspect Ratio)要求极为严苛的刻蚀应用,是应对芯片内部高深宽比沟槽、通孔及复杂三维结构制造的理想工具。

中微公司发布四款半导体制造设备,覆盖硅基及化合物领域

该设备之所以能够胜任这些尖端工艺挑战,得益于其多项突破性设计。其创新的中心抽气方案,结合高性能的对称气流控制阀与泵组系统,不仅实现了极高的反应气体通量,更显著拓宽了工艺腔内的压力控制窗口,为复杂的刻蚀工艺提供了更灵活、稳定的操作环境。

在核心的等离子体控制技术上,Primo Angnova集成了一系列自主核心技术。其搭载了拥有自主知识产权的第二代LCC射频线圈与直流辅助磁场系统,配合先进的四段脉冲控制技术,能够对等离子体的离子密度与能量进行高精度、独立调节。尤其是其超低频射频等离子体源,可产生极高的离子能量,这正是高效完成高深宽比ICP(电感耦合等离子体)刻蚀工艺的核心驱动力。

为了确保刻蚀结果的高度均匀性,设备采用了具备超过200个独立温控分区的静电吸盘,将晶圆温度控制精度提升至全新水平。结合晶圆边缘连续主动阻抗调节技术,最终实现了卓越的片内刻蚀均匀性。在生产效率方面,该设备基于中微成熟的Primo C6V3传输平台,支持最多配置6个主刻蚀腔和2个去胶腔的模块化组合,这种灵活配置能有效帮助芯片制造商提升产能并降低综合运营成本。

Primo Domingo:适用于先进器件的精密高选择性刻蚀设备

如果说Primo Angnova是“攻坚利器”,那么第二款Primo Domingo则是“精雕大师”。它是一款专为高选择性刻蚀工艺而设计的设备,完美适用于环绕栅极晶体管(GAA)、3D NAND闪存以及3D DRAM等下一代半导体器件中,那些要求极高选择性和精密控制的刻蚀步骤。

中微公司发布四款半导体制造设备,覆盖硅基及化合物领域

为确保刻蚀的精密度与工艺一致性,Primo Domingo采用了全对称腔体设计与经过深度优化的流场结构。这种设计将气体注入系统、温度控制模块及压力调节单元进行了系统性整合,从硬件层面保障了晶圆表面极高的刻蚀均匀性与卓越的工艺重复性。

设备另一大亮点是其紧凑的集成式气柜设计。它大幅缩短了工艺气体的输送路径,从而实现了对脉冲气体的更快、更精密的控制,为动态变化的刻蚀工艺提供了即时、精准的响应能力。为应对高活性、强腐蚀性工艺气体环境,设备内部管路与核心部件均采用了高抗腐蚀材料和特殊防护涂层,确保了设备长期运行的稳定性与可靠性。

温度控制的精准度直接决定了刻蚀工艺的成败。Primo Domingo配备了支持双制冷/双加热模式的晶圆基座,可实现更宽范围的精密温度调节,从而显著提升刻蚀的均匀性与稳定性。同样基于Primo C6V3传输平台,它可以灵活配置主刻蚀腔与辅助退火腔模块,以满足不同客户和应用场景的多样化需求。

Smart RF Match:赋能刻蚀设备的智能射频匹配系统

与前两款工艺设备不同,第三款产品Smart RF Match是一款能够为现有刻蚀设备进行效能升级的“智能核心部件”。作为一种智能射频匹配器,其核心价值在于实现更稳定、更高效的等离子体生成与控制,从而提升整台刻蚀设备的性能表现。

中微公司发布四款半导体制造设备,覆盖硅基及化合物领域

其创新点主要在于:首次在半导体设备领域引入了“射频回路专网”技术架构。通过高速EtherCAT通信协议,射频电源与智能匹配器之间实现了射频状态信息的实时、精准交互。这使得智能匹配器能够主动协同工作,在调节自身阻抗匹配网络的同时,也可向射频电源发送优化指令,形成一个智能闭环控制系统。

该系统的底层支撑是基于中微自主知识产权的新型智能控制算法。该算法使得匹配器能以微秒级速度响应工艺腔中等离子体状态的动态变化,并实时自动调整阻抗,确保射频能量以最高的效率、最稳定的状态传递至反应腔。其独特的智能调控算法还能够根据特定的工艺条件,自动匹配合适的电源频率范围与匹配模式。最终,其匹配速度比传统方案快出百倍以上。

实际应用数据最为直观。在某高端逻辑芯片制造客户的产线测试中,在同等工艺条件下,这套Smart RF Match系统将射频信号匹配速度提升了惊人的225%,并带动整体刻蚀工艺效率提高了15%。这样的性能提升直接转化为更高的设备产出率和更优的工艺一致性,对于芯片量产的成本控制与良率爬坡意义重大。

Preciomo Udx:加速Micro LED量产的关键MOCVD设备

最后一款设备Preciomo Udx,将应用焦点投向了下一代显示技术——Micro LED的量产制造。它主要服务于Micro LED生产链中的核心环节:金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。

中微公司发布四款半导体制造设备,覆盖硅基及化合物领域

Micro LED对芯片的波长均匀性要求极为严苛,微小的波动都会直接影响显示面板的色彩一致性。Preciomo Udx为此专门设计了新颖的水平式双旋转反应室结构,并通过精密的温场与流场仿真进行优化,实现了硬件设计与工艺参数的深度协同,从而在量产规模上实现了波长均匀性的跨越式提升,这正是打通Micro LED量产瓶颈的关键一步。

在产能配置与生产灵活性方面,该设备也表现出色。其平台最多可配置两个完全独立的反应腔,可同时处理18片6英寸或12片8英寸的氮化镓(GaN)基蓝绿光Micro LED外延片。每个反应腔均可独立运行与控制,为生产线提供了高度的灵活性与可扩展性。此外,设备标配了符合SEMI标准的自动化前端模块(EFEM)和标准机械接口(SMIF),实现了从进片到出片的全程自动化操作,最大限度地减少了人为干预与颗粒污染,为保障极高的外延片良率奠定了坚实基础。

来源:https://www.ithome.com/0/934/096.htm
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