8月19日，市场消息显示，市值超过3500亿元的国产半导体设备龙头企业中微公司发布了2026年半年报。财报数据显示，2026年上半年公司实现营业收入66.91亿元，同比增长34.89%；归属于上市公司股东的净利润达到28.25亿元，同比大幅增长300.22%。

扣除非经常性损益后，中微公司归母净利润为11.23亿元，同比增长108.36%，主营业务盈利能力进一步增强。

与此同时，中微公司还披露了新的扩产规划。其全资子公司中微临港拟在临港新片区投资建设中微临港产业化基地（二期）项目，计划总投资35亿元，其中固定资产投资17亿元。

该项目将重点布局刻蚀设备、量检测设备、薄膜沉积设备等核心优势产品，项目达产后预计可实现年销售收入30亿元。

中微公司表示，针对先进逻辑芯片和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品，公司新增付运量显著提升，并已在先进逻辑器件和先进存储器件的多项关键刻蚀工艺中实现大规模量产。

具体来看，在逻辑集成电路制造环节，公司自主开发的12英寸高端刻蚀设备，已经应用于国际知名客户最先进的生产线，并用于3纳米及以下器件多个关键工艺步骤的加工；

同时，公司还根据先进集成电路制造厂商的实际需求，持续推进设备研发升级与工艺优化。

在3D NAND芯片制造领域，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上产品的量产。同时，公司正结合存储器件客户需求，开发适用于极高深宽比工艺的刻蚀设备与技术方案；并根据逻辑器件客户需求，持续开发更先进刻蚀应用设备。

公司的MOCVD设备Prismo A7、Prismo UniMax分别可实现单腔34片4英寸和41片4英寸外延片的加工能力。

凭借突出的技术实力，公司的Prismo A7与Prismo UniMax设备已在全球氮化镓基LED MOCVD市场占据领先优势。

同时，公司与众多一流LED外延片厂商保持紧密合作，推动产业链协同发展，实现更深层次的产业融合。

公司研发的12英寸低压薄膜沉积设备，可满足先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及128层及以上3D NAND多个工艺制程的需求。除此之外，公司还在持续推进更先进逻辑电路接触孔填充设备，以及适用于更高层数存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发与工艺验证工作。