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半导体设备国产化加速,长鑫与长江扩产推动2030年自给率达39%

时间:2026-06-30 14:41
市调机构数据显示,国内半导体设备本土化比例从2024年8%升至2025年23 2%,预计2030年达39%。长鑫存储与长江存储扩产为关键驱动力,带动刻蚀、薄膜沉积等核心设备批量应用,但高端光刻仍是长期短板。

6月29日消息,市场研究机构Yole Group最新发布的《中国本土半导体设备产业2026》报告揭示了一组引人关注的数据:国内半导体设备本土化比例从2024年的8%,迅速攀升至2025年的23.2%。该机构预测,到2030年这一数字将进一步提升至39%。换言之,本土半导体设备的自给规模在短短数年内实现了近乎翻倍的增长。

这一成绩背后,长鑫存储与长江存储这两大国产存储厂商的产能扩张,构成了核心驱动力。可以说,这两家企业的扩产行动,直接为本土设备供应商带来了强劲的订单需求。

半导体设备替代提速!长鑫、长江扩产助力2030年国产化率冲刺39%

具体来看,长鑫存储在2026年第二季度启动了多轮设备招标,其中扩产配套的设备采购预算高达50至60亿美元,晶圆制造产能正在持续提升。与此同时,长江存储的二号厂房也在加速推进工艺设备管线配套采购。两大龙头企业同步扩产,直接带动了刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光等存储核心工艺设备的批量落地验证,本土设备的供货份额自然随之水涨船高。

从细分工艺赛道来看,国产设备在刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光等环节的替代速度最快。而量测检测、湿法清洗与离子注入设备的迭代进展则相对平稳。至于高端光刻设备,依然是行业长期面临的技术短板。

再看这两家存储工厂的中长期扩建规划。长鑫存储正在推进上海厂区建设,规划产能为合肥基地的2到3倍,预计2027年正式投入晶圆量产。长江存储的武汉第三工厂同样计划于2027年投产,全部产能将用于3D NAND闪存制造。

半导体设备替代提速!长鑫、长江扩产助力2030年国产化率冲刺39%

业内人士分析指出,全球存储市场长期由海外三家巨头主导,目前国产存储合计的全球市场占有率大约只有两成。两大存储厂商的持续扩产,无疑为本土设备厂商创造了广阔的市场空间——这恰恰是国产替代的主战场。

来源:https://m.mydrivers.com/newsview/1132780.html
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