台积电美国亚利桑那州第三座晶圆厂主体结构已封顶，将引入2纳米级先进制程，计划本十年末量产。该地首座晶圆厂已量产，第二座预计2027年投产。封顶仪式向施工人员及合作伙伴致谢，标志着项目建设重要里程碑。

台积电在美国亚利桑那州的第三座晶圆厂已完成厂房封顶，进入内部装修与设备安装阶段。该厂采用2纳米及更先进制程，计划2030年前投产。从破土到封顶仅用时一年，建设速度高效。台积电在该州前三座工厂总投资已达650亿美元，是其海外扩张与全球半导体制造格局重塑的关键一步。

半导体行业传出重要动向，AMD很可能已将部分下一代笔记本CPU的2nm制造订单交由三星代工。此举主要源于台积电先进制程产能已排期至2028年，AMD为确保产品如期发布，必须寻找替代产能。合作涉及代号Venice（2026年，Zen6C，最高256核）和Verano（2027年，Zen7，专为AI

台积电美国亚利桑那州第三座晶圆厂（PH3）主体结构已于5月5日完成封顶。该厂于去年4月动工，将导入2纳米级制程技术，目标在本十年末实现量产。与此同时，当地首座晶圆厂已量产，第二座厂预计2027年下半年量产。此举标志着台积电在美国先进半导体制造布局的重要一步，旨在强化其供应链并满足未来AI与高性能计算

智能手机市场，特别是中低端需求持续疲软，导致联发科和高通大幅削减了在台积电的4纳米和5纳米芯片订单，减产规模约2万至3万片晶圆。与此同时，存储芯片成本飙升，DRAM和NAND合计已占入门手机成本的54%，加剧了市场压力。空出的先进制程产能迅速被AMD接手，用于满足其CPU产品的增长需求。AMDCE

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