1.3、1.2nm两连发 台积电公布A13/A12工艺：2029年问世

4月23日消息，继2025年公布A14工艺之后，台积电在最新的技术论坛上，又亮出了未来的工艺路线图——A13和A12。没错，这两个新名字，对应的正是之前大家常说的1.3纳米和1.2纳米工艺。

话说回来，如果按照过去摩尔定律的演进节奏，A14之后本应直接跳到A10，也就是1纳米节点。但现实情况是，当芯片工艺进入10纳米以下，物理极限的挑战就日益凸显。各家厂商的工艺进步不再像以前那样“大步流星”，命名规则也随之变得“花哨”起来，纷纷采用“A+数字”或“数字+A”的组合。这里的“A”代表埃米（Ångström），台积电选择了A16、A14这样的序列，而英特尔则用了18A、14A等标识。

那么，这次公布的A13工艺究竟有何特别？简单来说，它是A14工艺的改进版本。其核心在于，在保持与A14设计规则兼容的前提下，通过协同优化，实现了芯片面积约6%的缩减，并带来了更高的性能与能效。根据规划，A13的量产时间定在2029年，比A14晚一年。

再往下看，就是更进一步的A12工艺了。它同样基于A14增强而来，但会引入一项关键技术：SPR，也就是超级电源轨技术。这项技术的原理，与英特尔在其18A工艺上使用的背部供电技术PowerVia有相似之处，都是试图从芯片背部进行供电以优化性能和功耗，但两家在具体实现路径上各有千秋。A12工艺预计也将在2029年投入生产。

除了向埃米级进军，台积电对现有的2纳米平台也并未放松。他们计划后续推出一个名为N2U的2纳米增强平台。据透露，N2U将在速度上提升3-4%，功耗降低8-10%，同时晶体管密度还能再提高2-3%。这个平台的投产时间预计更早一些，瞄准了2028年。

值得注意的是，台积电此次并未详细披露A13和A12工艺具体的性能与功耗改善数据。这或许意味着，单从这些指标看，代际之间的提升幅度可能不会特别惊人。而且，关于SPR技术的落地路径，也显得有些扑朔迷离。这项技术最早传闻将在2纳米的N2节点首发，后来又说改为在A16工艺上引入，如今又明确将在A12上使用。这种变动，恰恰反映出当前芯片制造进入深水区后的真实写照。

当工艺节点推进到5纳米以下，每一代的提升都堪称一场艰难的攻坚战。一旦研发进度不及预期，原本计划中的“优化版”很可能就直接升级为“新一代”工艺了。照这个趋势发展下去，在最终抵达A10（1纳米）之前，中间再冒出一个A11工艺，也完全不足为奇。