SK海力士LPDDR6 DRAM开发成功:速度提升33%,功耗直降20%
3月10日消息,据媒体报道,SK海力士近日正式宣布,已成功研发出采用1纳米级先进工艺制造的16Gb LPDDR6 DRAM内存芯片,并顺利完成了全球首个相关技术认证。
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SK海力士计划在今年上半年完成量产准备,预计于下半年开始正式供货,进一步扩充其面向AI应用优化的传统DRAM产品线。
这款全新的16Gb LPDDR6 DRAM在性能上实现了显著飞跃。其运行速度高达每秒10.7千兆次传输,数据处理能力相比上一代LPDDR5X产品提升了33%。
这一进步主要得益于带宽的扩展以及单位时间内数据传输量的增加。同时,通过引入先进的子通道结构和动态电压频率调整技术,其功耗较前一代产品降低了20%以上。
SK海力士技术团队解释称,子通道结构能够智能地选择性运行必要的数据路径,而动态电压频率调整技术的核心特性,则是根据移动设备的使用环境动态调节频率与电压。
在运行高性能游戏等高负载场景时,设备会提升电压频率等级以实现最大带宽;在日常轻量使用时则自动降低频率与电压,从而有效控制能耗。

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