先给出几个核心判断：2027年，存储行业将迎来史上供应最紧张的时期。而且，目前由内存涨价引发的市场波动，或许还远未触及顶点。

据Business Times报道，SK海力士CEO郭鲁正近日发出警告，2027至2028年间，存储相关晶圆产能预计每年增长约12%，但其中一半的增量产能将被HBM（高带宽内存）直接消耗。

这意味着什么？HBM对晶圆产能的吞噬效应，正在严重挤压常规DRAM的生存空间。具体来看，三星2026年HBM出货量约为120亿Gb，到2027年将飙升至200亿Gb；而SK海力士方面，2026年为180亿Gb，2027年将增至240亿Gb。HBM的疯狂扩张，让常规DRAM的产能捉襟见肘。

由此带来的结果是，2027至2028年，非HBM的DRAM位元增长率将被限制在年化15%的水平。但同期市场需求预计增长22%，供应缺口高达7个百分点。供需失衡，内存价格自然水涨船高。

产能扩容方面，形势同样不容乐观。三星的P5 Fab 1工厂要到2027年7月才能投产，而P5 Fab 2和龙仁的另一座工厂，最快也要2029年才能开始量产。SK海力士这边，龙仁Y1工厂计划2027年2月投产，Y2工厂则要等到2028年下半年才能上线。这意味着，短期内这些新增产能几乎无法缓解供应紧张的局面。

当然，市场也并非全无转机。长鑫存储向DDR6的转型计划，理论上可能成为缓解因素。但目前其量产时间表尚不确定，而且是否向中国以外市场供货也是未知数。变数较大，暂时不能寄予厚望。

日前，威刚董事长陈立白在接受采访时也驳斥了AI泡沫论。他直言，未来十年最稀缺的不是算力，而是电力和内存。三大原厂理性扩产，不会无序扩张，内存价格下半年将继续上涨。趋势明朗，涨价通道远未关闭。