2月28日，IT之家报道，半导体光刻图案化的核心步骤是根据所需电路结构，用光线照射涂覆在晶圆上的光刻胶。随后，针对某些类型的光刻胶，还需要进行烘烤处理，以加速所需图案的显影。
比利时校际微电子研究中心imec于本月25日指出，在测试平台上，适用于High NA EUV等先进光刻工艺的金属氧化物光刻胶，在氧气含量高于大气环境时，能够实现更显著的烘烤放大效果。这意味着，要达到相同的最终效果，所需的光刻照射剂量更低，从而有助于缩短光刻用时，提升生产效率。
imec在测试中采用了50%的氧气浓度，发现烘烤过程加速了15%至20%。这一趋势在商用金属氧化物光刻胶与模型光刻胶中均有体现，展现了优化半导体光刻全流程效率的新思路。
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