存储短缺预警周期达峰值：或将持续两到三年
伴随全球人工智能基础设施建设的飞速推进，人们日益感受到，存储芯片的供应紧张状况或将比预期持续更长时间。那么，这一供不应求的局面究竟会延续多久呢？
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多位半导体行业资深人士给出了相似的判断：它很可能还会持续至少两到三年。
内存短缺或延续至明年
近年来，随着巨额资金持续投入到数据中心等基础设施建设中，市场对内存芯片的需求也攀升至前所未有的水平，半导体价格也因此出现了前所未有的上涨，且这种趋势在今年还将延续。
全球EDA和半导体IP领域的龙头企业新思科技（Synopsys）的首席执行官萨西尼·加齐（Sassine Ghazi）在接受采访时表示，芯片短缺现象将在2026年和2027年持续下去。
加齐提到，目前，全球顶尖厂商的大部分内存芯片“直接流向了人工智能基础设施，但许多其他产品同样需要内存，因此其他市场正因产能不足而陷入困境。”
他指出，三星、SK海力士和美光作为全球最大的内存公司，虽然正致力于扩大生产，但要实现扩产目标，“至少”需要两年时间，这也是此次短缺将持续下去的原因之一。
“现在对于内存公司来说是一个黄金时期，”加齐说道。他还补充称，内存价格的上扬意味着消费电子公司可能不得不考虑提价，这一趋势目前“已在发生”。
我们正处于“超级周期”
通常来说，内存在经历一段供不应求或供应过剩的周期后，其价格会相应变化。
然而，越来越多的行业人士和分析师感到，当前的内存正身处一个“超级周期”——换言之，供应短缺的情况将持续比过去更长的时间，内存的涨价潮也可能会比过去持续更久、范围更广。
事实上，美光科技在去年底发布2026财年第一季度业绩报告时就曾做过这样的预测。
美光表示，持续的行业需求加上供应限制，导致存储市场供应紧张，预计这种情况将持续到2026年之后。这意味着市场上涨周期至少会持续三年，甚至可能更久。
推动这一趋势的主要因素是HBM芯片的强劲需求。美光预测，到2028年，HBM总潜在市场将以约40%的复合年增长率增长，从2025年的大约350亿美元增长到2028年的大约1000亿美元。
与此同时，NAND的需求往往会跟随HBM上涨，这表明当前的存储上升周期可能会从2024年持续到2028年。
布卢姆斯伯里情报与安全研究所（The Bloomsbury Intelligence and Security Institute）则指出：
“全球内存市场正经历一场结构性危机，其原因是制造商将晶圆产能从DRAM重新分配到用于HBM芯片上。因此，DRAM价格同比上涨了171%，而DDR5现货价格自2025年9月以来已经翻了两番。”
这种情况会持续多久？存储器价格可能在2027-2028年期间保持高位，只有当新的制造设施实现量产时，价格才有可能部分恢复常态；如果随着产能的扩张，人工智能需求放缓，那么可能要到2028-2029年才会出现供应过剩的情况。
行业分析公司IDC也强调了半导体“超级周期”已经到来。他们表示：“在经历了2024年的调整和2024年的复苏之后，2024年至2028年的长期半导体收入增长仍有望实现两位数的复合年增长率。”
华尔街投行做出类似预测
在华尔街，高盛和野村等投资机构也已经做出了类似判断。
高盛在近期的调查报告中指出，自新年伊始，DDR5现货价格已出现大幅上涨，而DDR4现货价格自2024年9月开始上涨，目前仍呈上升趋势。这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲，原因是DDR5/DDR4现货价格已经相较于合约价格产生了巨大溢价。
高盛还预测，全球存储巨头三星今年的DRAM芯片平均定价将会每个季度环比增长，尤其是一季度增幅预计可达50%。
高盛：三星今年DRAM芯片定价预计持续增长
而野村在近期的报告中指出，全球存储器市场正在经历前所未有的“三重超级周期”，预计在2026年，DRAM、NAND和HBM的需求将同时激增。
野村还判断称，在强劲的需求增长和有限的供应扩张影响下，这一超级周期将持续到2027年。
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