1月17日消息，台积电去年在美国压力下宣布追加1000亿美元投资，使其对美芯片工厂的总投资额将达到1650亿美元。然而，根据最新的谈判结果，台积电的实际投资力度只会更大。

美方要求中国台湾地区的投资总额不低于2500亿美元，其中大部分显然将由台积电的投资来推动。目前具体会增加多少金额尚不确定，但可以肯定的是，这一数额将超过去年追加的1000亿美元。

除了巨额投资，台积电还需要将先进产能转移到美国本土进行生产。美国商务部长雷蒙多提出的要求是，在总统的4年任期内，台积电需将40%的产能转移至美国工厂。

对于这一要求，台积电首席财务官黄仁昭日前在采访中并未正面回应。他只是表示，台积电加快对美投资是为了响应客户需求，目前进展相当顺利。

他指出，台积电在美国将投资建设6座晶圆生产工厂、2座先进封装工厂和1个研发中心。此前购买的第一块土地面积为1160英亩，已经不够用了，为此他们又购买了第二块面积达900英亩的土地。

针对美国掏空台积电的质疑，尤其是先进技术流入美国的问题，黄仁昭表示，最先进的工艺仍会留在台积电本土工厂。

他解释道，基于务实考量，最先进的工艺会先在本土工厂运行，待稳定成熟之后才会转移到海外，这至少需要一年以上的时间。

不过，此前台积电方面的表态是，落后2代的工艺才能出口到海外。按照业界至少两年一代工艺的情况来算，这意味着要拉开4年差距。而台积电现在只把量产1年的工艺就转移到美国，其中的情况不言自明。

由于先进工艺的技术演进问题，3nm与2nm看似相差一代，但技术本质区别并不明显。未来从2nm到A16工艺更是如此。因此，美国工厂的技术差距与本土工厂其实远没有拉开。