韩国SK海力士在周二宣布，将投入19万亿韩元在韩国建设一座先进的芯片封装厂，旨在满足人工智能领域不断增长的高带宽存储芯片（HBM）需求。
这家芯片制造商在一份声明中指出，新工厂位于韩国清州市，将于今年四月动工建设，预计在明年年底前完工。该公司在清州已拥有多个生产基地。
SK海力士表示，全球人工智能领域的竞争日益激烈，正驱动对AI专用存储器的需求急剧攀升，这也凸显出公司需要积极应对市场对高带宽存储芯片日益增长的需求。
公司预计，从2025年到2030年，HBM市场将以每年约33%的速度高速增长。
DRAM是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存，DRAM能实现数据的随机高速存取，广泛应用于服务器、手机、个人电脑等需要高速数据处理的场景。
而HBM是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM，是人工智能应用的核心组件。随着人工智能产业的爆发，其需求也呈现迅猛增长态势。
相较于传统DRAM，HBM的核心优势集中体现在带宽、功耗和空间利用率三大维度，完美契合AI大模型训练、高性能计算等对数据吞吐量要求极高的应用场景。
麦格理证券研究部的数据显示，作为英伟达的核心HBM供应商，SK海力士去年在HBM市场占据主导地位，市场份额高达61%；其次是美光科技和三星电子，市场份额分别为20%和19%。
SK海力士将于下周公布其2025财年第四季度（截至12月31日）的业绩。外界普遍预计，受人工智能带来的巨大需求推动，该公司业绩将实现大幅增长。
上周四，SK海力士的本土竞争对手、全球最大的内存芯片制造商三星电子发布了2025年第四季度初步业绩，显示在AI热潮下，存储芯片涨价潮令公司受益匪浅，当季营业利润大幅增长，且超出市场预期。
根据初步业绩，三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元，较上年同期飙升208%，高于市场普遍预估的18万亿韩元。这将是三星电子有史以来最高的季度营业利润。
近几个月来，存储芯片价格持续上涨。一方面，芯片产业正转向生产人工智能相关芯片，传统存储芯片产能因此受到挤压；另一方面，训练和运行人工智能模型对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。
SK海力士和三星电子均从内存芯片价格的大幅上涨中受益。本月初有消息称，三星与SK海力士已向服务器、个人电脑及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年第一季度报价将较去年第四季度上涨60%至70%。
