12月30日传来消息，台积电已悄然启动N2 2nm工艺的大规模量产，整个过程非常低调，并未进行任何官方宣传，但这与其此前制定的进度计划完全吻合。
台积电官方的2nm工艺专题页面有这么一句话：“台积电2nm技术已按计划于2025年第四季度投入量产。”
明年，台积电N2工艺的产能将快速爬升，以迎接各家客户的产品需求，包括NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科等都将采用这一先进制程。
N2是台积电首个应用GAA（环绕栅极纳米片晶体管）的制程节点，在技术上与英特尔RibbonFET有些类似。
该技术通过栅极完全包裹由水平堆叠纳米片构成的导电沟道，优化了静电控制效果，降低了漏电率，从而在不牺牲性能与能效的前提下进一步缩小晶体管尺寸，实现密度提升。
N2工艺还在供电部分集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器（SHPMIM），其电容密度比之前的高性能金属-绝缘体-金属电容器（SHDMIM）提升超过2倍，同时将薄层电阻（Rs）、通孔电阻（Rc）降低了50%，从而提升了供电稳定性、芯片性能和综合能效。
按照台积电给出的说法，N2相比N3E在同等功耗下性能提升10-15%，同等性能下功耗降低20-25%，晶体管密度则提升15%。
N2工艺后续还有两个升级版本，N2P预计2026年下半年量产，性能再提升5-10%，功耗再降低5-10%。
N2X则将在2027年量产，对比N2P继续提升10%的性能，功耗也进一步降低。
再往后便是A16、A14，其中前者业界首发超级供电电路（SPR），量产工作也将于2026年下半年如期推进。
