台积电核心制程：为何两代技术后才准许赴美设厂？
12月18日消息，过去一度没有在美国建厂计划的台积电，近年来却在美方压力下持续追加投资，最新承诺额度已达1650亿美元。而美方近期更是暗示，这一数字可能需要提升到2000亿美元以上。
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对台积电而言，这不仅仅意味着要在美国进行巨额资金投入，还必须将尖端制造工艺也转移到美国工厂。其一期工厂原计划生产5nm芯片，去年底投产后已转为4nm工艺。
正在建设的二期工厂预计将导入3nm工艺，而根据后续投资规划，从2nm到1.4nm的先进制程，也将逐步转移至美国本土进行生产。
台积电如此积极地将产能向美国转移，难道不担心核心技术外泄吗？这确实是外界最为关注的焦点之一。此前台积电曾多次公开回应此类疑虑，强调最先进的工艺仍会留在总部基地生产。
如今更有主管部门负责人出面表态，称关键技术的转移都会受到严格管控，相关技术人员也会纳入管理范围。台积电未来即便推进到1.4nm工艺，也必须满足“N-2”要求后才可能出海生产。
所谓“N-2”，意味着海外基地投产的制程工艺，必须比台积电本土最新技术落后两代以上。例如，当台积电本土最先进的量产工艺是2nm（N2）时，海外工厂就只能生产5nm级别（N5）的芯片，中间还隔着整整一代3nm工艺。
未来当台积电量产1.4nm（A14）工艺后，2nm制程才会在美国工厂投产，其间还隔着1.6nm工艺（A16）这一代。
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