SK海力士下一代NAND闪存技术：混合键合实现300+层堆叠
12月9日消息，据《韩国经济日报》当地时间8日报道，SK海力士将在其下一代V10 NAND闪存中首次应用混合键合技术。据悉，这款V10产品的堆叠层数将达到300层以上。
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传统NAND闪存是在单一晶圆上制造存储阵列单元和外围电路，但随着堆叠层数的增加，外围电路在叠加加工过程中出现故障损坏的风险也随之攀升。
在长江存储、铠侠-闪迪的混合键合工艺NAND中，存储单元和外围电路被分别制造在两块晶圆上，最后再键合为一体。这种方式不仅有利于保持外围电路的高良率，还能有效缩短生产时间、提升NAND的整体性能。不过，实现高密度输入/输出连接的混合键合过程本身也相当复杂。
报道指出，SK海力士正在开发堆叠300层以上的V10 NAND（注：现有V9 NAND为321层），计划于明年完成研发，并在2027年初实现量产。
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