11月12日消息，据韩国《朝鲜商业》报道，三星电子、SK海力士、铠侠、美光等全球八大NAND闪存制造商正协同削减今年下半年的NAND闪存供应量。业内人士分析认为，此类减产举措无疑将造成产能损失——供应商一方面通过调控供应引导价格上涨，另一方面正加速将产线转向四层单元（QLC）架构，以应对人工智能（AI）数据中心带动的强劲QLC需求增长。
与此同时，三星电子、SK海力士和铠侠正在推动将去年全年处于成本价水平的NAND闪存价格提升至健康区间。其中，三星目前正与海外大型客户洽谈明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。
市场研究机构Omdia的年度NAND闪存产出数据显示：三星电子已将其今年NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较去年（507万片）减少约7%；铠侠也将产量由去年的480万片调整为今年的469万片。Omdia预计，三星与铠侠的减产策略将持续至明年。
SK海力士和美光也在保守地限制产出，以获取更高价格带来的收益。SK海力士NAND产出同比下降约10%，从去年的201万片降至今年约180万片；美光亦处于类似境况——其位于新加坡的最大NAND生产基地Fab7工厂，产能维持在略高于30万片的低位区间，持续采取审慎供应姿态。
值得注意的是，随着主要供应商同步收紧供给，NAND产品平均售价（ASP）正显著攀升。研究机构指出，NAND价格仅上一季度便上涨15%，未来涨幅或达40%至50%以上。据TrendForce数据，主流512Gb三层单元（TLC）NAND芯片晶圆现货价格较前周上涨14.2%，至5.51美元。现货价格反映分销市场的即时交易行情，其上涨意味着产品获取难度正在加剧。
TLC NAND供应趋紧，亦反映出主要厂商正将资源聚焦于利润更高的QLC产品。TLC与QLC指NAND闪存基本存储单元中可存储的比特数：TLC每单元存储3比特，QLC则可达4比特。在相同晶圆面积下，QLC可提升约30%的存储容量，因而更适用于AI数据中心所需的大容量固态硬盘（SSD）。
一位业内人士表示：“在将现有TLC NAND产线转向QLC（AI数据中心SSD的关键技术）的过程中，四大主要供应商的部分TLC生产设备已暂停运转，自然形成减产效应。按行业规律，设备与制程转换期间产生的产出‘损失’，往往引发市场价格急剧上扬。”
此前长期受困于NAND供应过剩的三星电子与SK海力士，如今也借价格上行契机着力提升盈利水平。早前已有报道称，美国闪迪（SanDisk）自本月起将其NAND产品的合约价格上调最高约50%。随着北美大型科技企业因担忧NAND价格飙升而展开“恐慌性采购”，部分分析师指出，2026年全年的NAND供应量或已被提前订购一空。
