11月5日消息，据《韩国商业》报道，SK海力士将向全球最大人工智能（AI）半导体公司英伟达供应的第六代高带宽存储器（HBM4）价格较上一代产品（HBM3E）上调约50%，进一步巩固了其在全球HBM市场的领先地位。该公司已与英伟达就明年HBM4的供应达成协议，为实现创纪录业绩铺平道路。

报道称，SK海力士今年3月向英伟达交付了全球首款12层堆叠的HBM4样品并获积极评价，随后于6月开始小批量供货。与此同时，双方就明年下半年即将发布的英伟达下一代AI芯片“Rubin”所需HBM4的供应价格展开谈判。

HBM4的数据传输通道（I/O）数量达2,048个，是HBM3E（1,024个）的两倍。此外，HBM4在连接图形处理器（GPU）与HBM的基底层芯片中还集成了计算效率优化、能效管理等“逻辑制程”功能。正因如此，SK海力士自HBM4起将基底层芯片的生产外包给台积电（TSMC），而此前这一环节由公司内部完成。

考虑到技术升级所涉及的成本，SK海力士向英伟达提出H4单价定于550美元左右，较HBM3E上涨逾50%。英伟达考虑到三星电子和美光（Micron）也将大规模供应HBM4，对如此大幅涨价持保留态度，导致双方一度产生分歧。

最终，双方达成协议，HBM4的供应价格确定为每颗约560美元（现汇率约合3989元人民币），英伟达基本接受了SK海力士的报价，使其在HBM4市场继续保持主导地位。SK海力士一位高管表示：“最终供应价格及谈判细节无法确认”，但补充道：“考虑到制程进步与原材料成本上升，HBM4具备显著涨价的合理因素。”

在完成价格谈判后，SK海力士近期面向机构投资者召开了投资者关系（IR）会议，预计明年仍将维持高营业利润率。据金融投资行业透露，SK海力士表示：“符合英伟达规格的产品价格与供应量均已确定，‘当前盈利能力’得以延续。”这意味着即便三星电子和美光进入HBM4市场，也不会对公司的营业利润和整体业绩造成不利影响。

业内估计，SK海力士HBM4产品的营业利润率约为60%。市场预计SK海力士明年HBM销售额将达到约40-42万亿韩元（注：现汇率约合2084.04亿元人民币）。若维持与今年相当的利润率，仅HBM业务一项就将贡献约25万亿韩元（现汇率约合1240.5亿元人民币）的营业利润。随着SK海力士在明年下半年从当前主力产品HBM3E全面转向HBM4，其HBM整体业绩有望较今年（销售额约30万亿韩元，营业利润约17万亿韩元）提升40%-50%。

更有预测指出，凭借HBM4已锁定的高盈利能力，SK海力士明年的整体营业利润有望突破70万亿韩元。这不仅得益于HBM业务，也受益于图形双倍数据速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR等通用DRAM产品价格的飙升——在全球AI基础设施投资热潮推动下，通用DRAM价格持续走高。据DRAMeXchange数据，9月份DDR4固定交易价格六年来首次突破7美元，主要原因是近年来各大存储芯片厂商将产能优先转向HBM产线，导致通用DRAM供应持续紧张。

随着DRAM价格持续上涨，分析认为SK海力士明年通用DRAM业务的营业利润率也可能接近50%-60%。一位业内资深人士指出：“随着推理AI市场快速扩张，短期内内存芯片供应难以满足激增的需求”，并补充道：“SK海力士甚至尚未投产就已售罄明年的产能，因此高利润率将得以持续。”