韩媒 the bell 10月1日报道称,SK海力士清州M15X晶圆厂将在年底建成投产,预计经过2025年产能爬坡后,公司DRAM内存月产能将在2026年底达到62万片晶圆。这意味着SK海力士DRAM产能将在短短三年内实现翻倍增长。
数据显示,2024年SK海力士DRAM月投片量仅30万片,但到2026年底这一数字就将翻番,届时其产能规模将与三星半导体2025年下半年的内存生产能力旗鼓相当。

SK海力士如此大规模扩充DRAM产能,与其在HBM内存市场的领导地位密不可分。据行业预测,今年该公司约30%的DRAM产能将用于HBM生产,到2027年这一比例或将提升至40%左右。值得注意的是,同等条件下HBM生产工艺对晶圆的消耗量是传统内存的数倍。
与DRAM市场的积极扩张形成鲜明对比的是,SK海力士在NAND闪存领域的投资策略相对谨慎。这一差异主要源自两个细分市场的景气度和盈利能力的不同表现。
