传Rapidus 2nm工艺2HP密度媲美台积电N2
9月1日,业内消息人士Kurnal透露,根据日本芯片制造商Rapidus公布的2nm尖端节点2HP技术参数,经过拟合计算得出 Rapidus 2HP工艺的逻辑密度将达到237.31 MTr/mm2,与台积电同代制程N2的236.17 MTr/mm2基本持平。

注:
因英特尔在Intel 18A节点采用的BSPDN背面供电技术对芯片架构作出重大调整,其逻辑密度数据无法与非BSPDN技术的2nm制程直接对比。
这一数据表明Rapidus的2nm制程在PPA三大要素之一的Area(面积)指标上表现优异。不过要全面评估其技术水平,还需等待Power(功耗)和Performance(性能)相关数据的公布。此外,良品率与生产效率也是决定先进制程能否实现商业化成功的关键因素。
值得一提的是,Rapidus已在今年7月成功试制出首片2nm GAA工艺晶圆,计划到2027年实现月产25000片晶圆的规模化量产目标。

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