8月27日最新消息，在刚刚落幕的Hot Chips 2025技术大会上，日本半导体企业Rapidus正式宣布已完成2纳米GAA（环绕栅极）测试芯片的流片工作（注：实际流片成功时间为7月10日），并确定将于2027年进入量产阶段。

这款2纳米芯片采用ASML极紫外光刻技术制造，各项电气性能指标均达到预期标准。到2027年，Rapidus设在IIM-1的晶圆厂月产能预计将提升至2.5万片。

Rapidus在大会现场还详细介绍了IIM-1工厂的战略定位及其对客户的独特价值。相较于台积电和英特尔等竞争对手，该公司2027年的制程工艺预计仍存在一至两代的差距。为此，Rapidus正通过生产模式的创新寻求突破：

• 单晶圆处理方案：从设计到晶圆完成的周期可压缩至50天，而传统批量与单晶圆混合生产模式通常需要120天；
• 极速交付保障：针对特殊产品的紧急需求，标准50天交付周期可进一步缩短至15天，这将是2纳米工艺领域前所未有的交付速度。

Rapidus强调，这一创新模式依托于定制化的后端流程，深度融合了OSAT封测、EDA工具、IP核、研发体系及材料供应链，旨在实现快速流片与高效交付的闭环。

在短短三年发展历程中，Rapidus已实现IIM-1工厂多个重要节点：2023年9月启动工厂建设，2025年6月完成200余台尖端半导体设备的安装调试。

现阶段，业界最关注的是Rapidus的实际执行能力。虽然公司战略规划已展现出相当可行性，但半导体制造业充满变数，许多计划往往难以完全按时间表推进，因此其后续发展仍值得持续观察。

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