8月25日，SK海力士发布重磅消息，其革命性的321层2Tb QLC NAND闪存已经完成研发并启动量产。这一突破性产品不仅开创了QLC闪存技术突破300层堆叠的先河，更重新定义了NAND闪存的存储密度极限。据悉，产品将在通过全球客户验证后，于2025年上半年全面上市。
为优化产品成本效益，SK海力士特别开发了2Tb大容量单元配置，将传统方案的数据存储能力提升了一倍。针对高密度存储带来的性能挑战，研发团队匠心独运地将芯片内部平面(plane)数量从4个增至6个。每个平面作为独立工作单元，这一创新设计显著增强了并行处理能力，大幅提升了同步读取效率。
测试数据显示，321层QLC NAND相较前代产品实现了质的飞跃：传输速率提升100%，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%。更值得一提的是，其写入功耗效率优化超23%，这一特性使其在能耗敏感的AI数据中心应用场景中展现出强劲竞争力。
市场策略方面，SK海力士计划率先将该技术应用于消费级PC固态硬盘，随后逐步扩展至数据中心eSSD和移动设备UFS存储方案。依托其专利32DP堆叠工艺，可以在单一封装内集成32颗NAND芯片，使存储密度实现倍数级增长。这将助力公司抢占AI服务器所需的高性能、大容量企业级存储市场。
"量产标志着我们在高密度存储领域实现了里程碑式的突破。"SK海力士NAND研发负责人Jeong Woopyo表示，"面对AI数据中心爆发的市场需求，我们致力于打造全方位的AI存储解决方案，持续引领行业创新。"
