国际半导体低温键合技术大会首次在中国举办

8月6日最新消息，2025中国国际低温键合3D集成技术研讨会（LTB-3D 2025 Satellite in China）于8月3日至4日在天津成功举办。这是该国际性学术会议首次在中国召开，具有里程碑意义。

本届研讨会汇聚了来自英国、新加坡、日本、奥地利、荷兰、德国等国家的200余位专家学者和企业代表，其中包括20多所国际顶尖高校、科研机构以及10余家行业龙头企业的专业人士，共同探讨低温键合3D集成领域的最新技术发展。

会议由中国科学院微电子研究所、先进微系统集成协会、西安电子科技大学、中国电子学会、中国电子材料行业协会、青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司联合主办，并得到IEEE EPS北京分会、天津国家芯火双创平台、中国科学院微电子研究所-香港科技大学微电子联合实验室的大力支持。

值得一提的是，大会组委会阵容强大，由西安电子科技大学郝跃教授、武汉大学刘胜教授、日本东京大学/明星大学须贺唯知教授以及长江存储科技有限责任公司董事长陈南翔先生担任名誉主席。中国科学院微电子研究所刘新宇研究员、日本东京大学/明星大学须贺唯知教授、西安电子科技大学马晓华教授共同担任大会主席。

据了解，低温键合3D集成技术研讨会自2007年起每三年举办一届，长期致力于推动半导体晶圆键合技术的国际交流与产业应用。经过十余年的发展，该会议已成为该领域的权威学术盛会，累计吸引了全球20多个国家的顶尖专家参与，共产生300余个高质量议题。

此次会议首次落户中国，重点探讨半导体晶圆键合技术的最新研究成果和前沿发展方向，旨在推动新质生产力发展，为全球半导体产业创新合作注入新动能。

会议设置了六大主题板块，包括表面活化键合及其扩展应用、混合键合与3D集成、新型低温键合工艺及材料、功率/射频/光电/微系统和显示器件、基本原理和表征，以及异质集成及相关材料。通过主旨报告、专题研讨、论文展示等多种形式，为与会者提供了丰富的学术交流平台。

中国科学院微电子研究所指出，在当前AI算力爆发、先进封装技术革新、化合物半导体材料快速发展的背景下，低温键合技术有望成为延续摩尔定律的关键突破口。这项技术将催生新一代异质集成解决方案，为中国半导体产业向高端制造转型升级提供重要机遇。