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DRAM深度解读:内存技术核心与应用指南

DRAM深度解读:内存技术核心与应用指南

2026-03-06

DRAM作为现代计算设备的存储核心,其工作原理与发展趋势直接影响系统性能体验。本专题围绕DRAM技术演进路线,深度剖析新型GDDR6、LPDDR5等高频解决方案,结合数据中心与企业级应用场景,探讨低延迟与高带宽技术创新。同时提供硬件选购指南、超频优化教程及行业市场分析,帮助硬件工程师优化系统设计、游戏玩家提升性能体验,全面掌握存储技术前沿动态与实用技巧。

DRAM深度解读:内存技术核心与应用指南

TOP1

三星半导体拒签手机部门长期DRAM供货协议

12月3日消息,据首尔经济日报报道,三星内部芯片团队与移动业务部门的矛盾正在加剧,Galaxy S26 系列的供应链因此面临风险。三星计划在明年初推出 Galaxy S26 系列,但移动业务 MX
三星半导体拒签手机部门长期DRAM供货协议
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TOP2

三星电子或将削减HBM3E产能,增产1b纳米通用DRAM以实现利润最大化

12 月 2 日消息,韩媒 DealSite 昨日报道称,三星电子考虑将支撑其 HBM3E 内存供应的 1a nm DRAM 产能削减 30~40%,通过制程转换提升适用于通用内存产品的 1b n
三星电子或将削减HBM3E产能,增产1b纳米通用DRAM以实现利润最大化
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TOP3

三星拒绝长期DRAM订单,移动部门长称只为盈利

12月2日消息,随着全球DRAM价格持续飙升,三星电子内部两大核心部门,半导体部门(DS)与移动体验部门(MX)之间的矛盾开始浮现。最新消息指出,三星DS部门已拒绝向自家MX部门提供一年以上的DRA
三星拒绝长期DRAM订单,移动部门长称只为盈利
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TOP4

三星、SK海力士减产内存芯片:行业面临减产保价趋势分析

12月2日消息,面对内存疯狂涨价的局面,全球前两大存储巨头三星、SK海力士却拒绝扩大产量,而是以盈利考虑优先。当下,三星和SK海力士控制了超过70%的内存总产量,双方均表示,针对持续的“内存热潮”,
三星、SK海力士减产内存芯片:行业面临减产保价趋势分析
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TOP5

美光广岛工厂明年扩建启动!HBM内存产能将迎来提升

12 月 1 日消息,《日经亚洲》上月末报道称,Micron 美光扩建日本广岛县东广岛市 DRAM 工厂的施工将于 2026 年 5 月启动,目标 2028 年实现 HBM 内存出货。日本经济产业
美光广岛工厂明年扩建启动!HBM内存产能将迎来提升
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TOP6

内存价格飙升冲击PC市场,主板销量暴跌40%-50%

12 月 1 日消息,此前业界普遍预计,内存价格的上涨不仅会抑制内存模组本身的销量,还将对整体 PC 硬件市场造成显著冲击。如今,DRAM 价格飙升对整个 PC 硬件市场的影响已清晰显现。自 DR
内存价格飙升冲击PC市场,主板销量暴跌40%-50%
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TOP7

SK海力士2026年产能计划:重点扩产非HBM通用DRAM内存

12 月 1 日消息,韩媒《朝鲜日报》11 月 28 日报道称,SK 海力士明年除积极扩产 HBM 内存外也将全力扩充 HBM 以外的通用 DRAM 内存的产能,为此计划充分利用手头的晶圆厂空间。
SK海力士2026年产能计划:重点扩产非HBM通用DRAM内存
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TOP8

力积电上市解析:专注利基型DRAM市场的IPO机遇

12月1日消息,11月28日,杭州内存芯片设计公司力积存储在港交所提交新版上市申请书,独家保荐人为中信证券。力积存储主要从事DRAM内存芯片的设计,专注于8GB DDR4及更早代际的产品。台湾力积电
力积电上市解析:专注利基型DRAM市场的IPO机遇
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TOP9

内存芯片价格飙升:三星半导体暂停向自家手机长期供货

12月1日消息,随着AI推理大模型的落地,存储产品不再是AI算力中可有可无的配件,而是成为AI基础设施集约化发展中的战略性物资。据媒体报道,受全球AI算力需求激增影响,内存芯片价格飙升,三星半导体部
内存芯片价格飙升:三星半导体暂停向自家手机长期供货
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TOP10

内存芯片厂商高管直言价格上涨压力,行业趋势解读

12月1日消息,据媒体报道,受全球AI算力需求激增影响,全球内存半导体出现严重供不应求态势,内存芯片价格正在飞速提升,其中16G+512G内存到今年年底的价格上涨幅度近500元人民币。据行业相关人士
内存芯片厂商高管直言价格上涨压力,行业趋势解读
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TOP11

Omdia:SK海力士DRAM市占率三季超三星,蝉联榜首

11 月 28 日消息,据韩联社今日报道,市场研究机构 Omdia 周五公布的最新数据显示,由于价格上涨,第三季度全球 DRAM 销售额环比增长 30%,达到 403 亿美元(现汇率约合 2855
Omdia:SK海力士DRAM市占率三季超三星,蝉联榜首
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TOP12

三星电子HBM技术路线全解析:核心团队融入DRAM开发体系

11月28日消息,据媒体报道,三星电子近期对其高带宽存储器(HBM)开发团队进行了组织调整,撤销原隶属于半导体业务DS部门下的HBM开发团队,相关人员整体并入DRAM开发室。这一变动引发市场对三星H
三星电子HBM技术路线全解析:核心团队融入DRAM开发体系
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TOP13

海力士将展示GDDR7显存:单引脚速率48Gb/s,超主流70%

11 月 27 日消息,科技媒体 ZDNet Korea 昨日(11 月 26 日)发布博文,报道称在国际固态电路会议(ISSCC)2026 大会上,SK 海力士将公开展示下一代超高速 DRAM
海力士将展示GDDR7显存:单引脚速率48Gb/s,超主流70%
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TOP14

惠普预警内存价格猛涨,PC面临减产危机

11月26日消息,最近内存以及闪存价格已经不能说是涨价了,而是坐火箭一般上升,2个多月时间现货价涨了300%。这轮存储芯片涨价跟PC、手机需求无关,这两个领域甚至面临销量下滑的难题,但它们会是内存涨
惠普预警内存价格猛涨,PC面临减产危机
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TOP15

三星首发24Gb GDDR7显存:速度突破36Gbps

11月25日消息,三星继上月宣布成功开发首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM后,近日正式显示其已推出更高速度的样品版本,速率从原有的28Gbps(型号K4vcf325zc-sc28)进一步提升
三星首发24Gb GDDR7显存:速度突破36Gbps
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