12月1日最新消息，据《日经亚洲》上月月末报道，美光科技计划对其位于日本广岛县东广岛市的DRAM工厂进行扩建，预计相关施工将在2026年5月启动，目标是在2028年实现HBM内存的量产出货。
日本经济产业省在今年9月曾宣布，将向该工厂提供总计最高5360亿日元的补贴（注：按当前汇率约合242.99亿元人民币），而美光方面则承诺将对该生产基地的产能扩充投入1.5万亿日元（当前汇率约合680.01亿元人民币）。
尽管美光今年一度在HBM出货量上位居行业第二，但该公司长期目标仍是在HBM领域实现与其整体DRAM业务相当的市场占比。为此，企业同时也在美国本土积极推进产能扩张，计划在未来20年内建成6座DRAM晶圆厂。
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