在高带宽存储器（HBM）赛道上，三星电子的推进节奏明显没有放慢。HBM4刚投入量产仅数月后，这家韩国科技巨头就已向核心客户送出HBM4E样品，成为业内首家完成该动作的厂商，进一步巩固其在AI存储与高性能内存市场的领先地位。
5月29日，三星电子确认，全球主要客户已开始接收12层HBM4E样品。其引脚传输速率稳定在14Gbps，峰值性能最高可达16Gbps，这一指标较HBM4提升超过20%，单个堆栈的内存带宽达到3.6TB/s。容量方面，产品从HBM4的36GB提升至48GB，增幅超过30%。三星表示，后续将根据客户导入进度与需求节奏，稳步推进HBM4E量产计划。
与此同时，通用DRAM价格同步上涨，也让HBM厂商在价格谈判中拥有更强底气。当前，三星电子与SK海力士已经不再依赖HBM低价冲量获取订单，反而能够在与客户协商时维持更强势的立场。市场消息显示，三星HBM4此前的谈判价格约为700美元，较上一代HBM3E高出20%至30%。
HBM4E技术规格：速度与容量双升级
目前出货的HBM4E采用12层堆叠设计，容量达到48GB。未来还将推出32GB（8层）和64GB（16层）版本，以覆盖不同AI芯片客户和数据中心应用需求。从性能参数来看，3.6TB/s的超高内存带宽，正是为大语言模型训练、AI推理以及下一代人工智能系统中的高强度数据吞吐场景而打造。
三星方面表示，HBM4E在能效表现上也进行了进一步优化。与上一代产品相比，HBM4E能效提升16%，热阻特性改善超过14%。这意味着在高负载运行的数据中心和AI服务器环境中，产品不仅可靠性更高，也有助于降低整体能耗和散热压力。工艺层面，HBM4E继续采用三星第六代10纳米级DRAM制程（1c），并搭配自家晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片。由于其与HBM4共享同一核心技术路线，三星希望借此进一步提升制造稳定性与量产良率。三星存储开发部门执行副总裁Sang Joon Hwang也表示，HBM4E再次展现了三星在高带宽存储器领域的差异化技术优势，公司将持续推动全球AI存储市场增长。
存储价格全线上涨，韩国厂商利润有望创历史新高
在通用DRAM价格大幅上涨后，其盈利能力已逐步接近HBM，这也让三星电子和SK海力士在HBM报价与议价方面掌握了更大主动权。三星的策略同样十分明确：不会将产能过度倾斜至HBM，也不会因为HBM需求旺盛就全面挤压普通DRAM产能，而是采取更审慎的资源分配方式，以实现利润最大化。这种策略反过来也进一步支撑了HBM产品维持在高价区间。
HBM、通用DRAM与NAND闪存三大存储产品价格同步上涨，对韩国存储厂商而言，意味着整体盈利能力有望全面改善。摩根士丹利给出的预测相当积极：三星电子今年全年营业利润预计约为245.7万亿韩元，同比大增464%；SK海力士全年营业利润预计约为179.4万亿韩元，同比增长约280%。从当前市场走势来看，这两家公司的业绩修复与利润增长预期，未来大概率还将在后续财报数据中持续得到验证。
